模拟电子技术基础试题包括答案.docx

习题一
一、空题：
.写出下列正弦波电压信号的表达式：
',频率10kHz()
,频率50Hz()
,周期1ms()
,角频率1000rad/s(移形成
2、PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）«
a：其反向电流增大b：其反向电流减小c：其反向电流基本不变
3、稳压二极管是利用PN结的（
)o
a：单向导电性
b：反向击穿性
c：电容特性
4、二极管的反向饱和电流在20C时是5pA,温度每升高10C,其反向饱和电流增大一倍，当温度为40C时，反向饱和电流值为（）。
a：10pAb：15pAc：20pAd：40pA
5、变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）。
a：更向运用b：反向运用
二、如图所示的电路图中，E=5V,Ux=10sm（j0tV,
D \7
二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压Uo的波形。
三、如图所示的电路图中,E=5V,Ui=10sinu>tV,二极管的正向压降可忽略不计,试画出输出电压包的波形。
四、如图所示的电路中，已知ui=30smcotV,二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压的波形。
R
+O1=1O+
%\ZDU
—OO-
五、如图所示的电路中，(R,Da，Db)中通过的电流：(1)Va=Vb=0V;(2)Va=+3V,Vb=0V：
+12V
i
TT
A B

oY
六、如图所示电路中，试求下列几种情况下输出端电位Vy及各元件中通过的电流：(1)VA=+10V,VB=OV：(2)=+6V,\%=+・；
R 9kQ
Ri
七、如图所示电路中,E=20V,Ri=900Q,R2=1100Qo稳压管D?的稳定电压Uz=10V,最大稳定电流IzM=8mA0试求稳压管中通过的电流Iz：问Iz是否超过IZM?如果超过，怎么办？
习题二答案
一、1(a)：2(c)；3(b)；4(c)：5(b)二、Uof-Ur=Ud+E
ui与E,二极管导通，u0=E：
uiVE,二极管截止,
三、UjlE,二极管截止,Uo=wi； gVE,二极管导通，uo=Eo
两只二极管中电流为Ia=Ib=-Ir%%=OVo
/XD,A'X
(2)Va=+3V,Vb=0V时，B点电位较低，Db首先导通，使\'y=0V,Da反向截止，将隔离。
12
1会=Ir=——«,I.«0

10
=lniA= IR
9
六、(1)当Va=+10V,Vb=0▼时，Da导通，Vy=xlO=9V,Db反向截止。IA
1+9
1b=。
9
(2)Va=+6\\Vb=+，Da首先导通,使VY=x6=+,5两端电压为+,因正向电阻
1+9

—H
为0,故Db也导通，于是可用结点电压法求得实际的Vy为％=~+
1+1+-
9
IR====.
七、电阻R1中电流为Ii==^)=--=«
R190G--%1100
中电流为Iz=11一12*<I2M=8mA,如果上超过Izm，应加大电阻Ri：也可减小电阻R?。但R2一般是负载电阻，不能随意改变，若R】不能变，就应限制R?的最大值，或另选稳压管。
习题三
一、选择填空
.当晶体管工作在放大区时，()o
：，集电结反偏；C发射结和集电结均正偏;
.当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）
（BR）C
BO
.射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（）
。很小
.有一晶体管的极限参数：PCM=150mW,IcM=100mA,Ubrceo=30、”。若它的工作电压UCE=10V,则工作电流Ic不得超过（）mA：若工作电压UCE-=1V,则工作电流Ic不得超过（）mA；若工作电流Ic=lniA,
则工作电压Uce不得超过（）V。
A15；B100：C30：D150
.在非线性失真中，饱和失真也称为（）
A顶部失真B底部失真C双向失真
.用立流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是Ui=,5=2」V,5=7V,那么此三极管是（）型三极管，U]=（）,U2=（）,5=