光伏效应[1].doc

2 .光伏效应光生伏特效应简称为光伏效应, 指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。产生这种电位差的机理有好几种,主要的一种是由于阻挡层的存在。以下以 P-N 结为例说明。热平衡态下的 P-N 结 P-N 结的形成: 同质结可用一块半导体经掺杂形成 P 区和 N 区。由于杂质的激活能量ΔE 很小,在室温下杂质差不多都电离成受主离子 N A - 和施主离子 N D +。在 PN 区交界面处因存在载流子的浓度差, 故彼此要向对方扩散。设想在结形成的一瞬间,在N 区的电子为多子,在P 区的电子为少子, 使电子由 N 区流入 P区, 电子与空穴相遇又要发生复合, 这样在原来是 N 区的结面附近电子变得很少,剩下未经中和的施主离子 N D + 形成正的空间电荷。同样,空穴由 P 区扩散到 N 区后,由不能运动的受主离子 N A - 形成负的空间电荷。在 P 区与 N 区界面两侧产生不能移动的离子区(也称耗尽区、空间电荷区、阻挡层) ,于是出现空间电偶层,形成内电场(称内建电场) 此电场对两区多子的扩散有抵制作用, 而对少子的漂移有帮助作用, 直到扩散流等于漂移流时达到平衡,在界面两侧建立起稳定的内建电场。热平衡下 P-N 结模型及能带图 P-N 结能带与接触电势差: 在热平衡条件下, 结区有统一的 E F; 在远离结区的部位,E C、E F、E ν之间的关系与结形成前状态相同。从能带图看, N 型、 P 型半导体单独存在时, E FN与E FP 有一定差值。当 N 型与 P 型两者紧密接触时, 电子要从费米能级高的一方向费米能级低的一方流动, 空穴流动的方向相反。同时产生内建电场, 内建电场方向为从 N 区指向 P区。在内建电场作用下,E FN 将连同整个 N 区能带一起下移,E FP 将连同整个 P 区能带一起上移, 直至将费米能级拉平为 E FN =E FP, 载流子停止流动为止。在结区这时导带与价带则发生相应的弯曲,形成势垒。势垒高度等于 N型、 P 型半导体单独存在时费米能级之差: qU D =E FN -E FP 得U D =(E FN -E FP )/q q :电子电量 U D :接触电势差或内建电势对于在耗尽区以外的状态: U D =(KT/q)ln(N AN D /n i 2)N A、N D、n i :受主、施主、本征载流子浓度。可见 U D 与掺杂浓度有关。在一定温度下, P-N 结两边掺杂浓度越高, U D 越大。禁带宽的材料, n i 较小,故 U D 也大。光照下的 P-N 结 P-N 结光电效应: 当 P-N 结受光照时,样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子。因P 区产生的光生空穴,N 区产生的光生电子属多子, 都被势垒阻挡而不能过结。只有 P 区的光生电子和 N 区的光生空穴和结区的电子空穴对( 少子) 扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。光生电子被拉向N区, 光生空穴被拉向 P区, 即电子空穴对被内建电场分离。这导致在 N 区边界附近有光生电子积累,在P 区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡 P-N 结的内建电场方向相反的光生电场,其方向由 P 区指向 N 区。此电场使势垒降低,其减小量即光生电势差, P 端正, N