资料迷信根底名词解释（上海交年夜第二版）之公保含烟创作第一章原子构造结合键结合键分为化学键和物理键两年夜类，化学键包括金属键、离子键和共价键；物理键即范德华力^化学键是指晶体内相邻原子（或离子）间强烈的相互作用金属键金属中的自由电子与金属正属元素（主要是过渡族金属），当非金属X和金属M原子半径比小于时，形成具有复杂晶体构造的相，称为间隙相.
39、间隙化合物：原子半径较小的非金属元素如C,H,N,B等可与金属元素（主要是过渡族金属），当非金属X和金属M原子半径年夜于时，形成具有复杂晶体构造的相，通常称为间隙化合物.
第三章晶体缺陷点缺陷：点缺陷是最复杂的晶体缺陷，它是在结点上或临近的微观区域内偏离晶体构造正常排列的一*，尺寸范围约为一个或几个原子尺寸，故称零维缺陷，包括空位、间隙原子、杂质或溶质原子等.
线缺陷：其特征是在两个方向上尺寸很小，另外一个方向上延伸较长，也称一维缺陷，如各类位错^面缺陷：其特征是在一个方向尺寸上很小，另外两个方向上扩展很年夜，也称二维缺陷，晶界、相界、挛晶界和堆垛层错都属于面缺陷.
空位：一个原子具有足够年夜的振动能而使振幅增年夜到一定限度时，就能够克制周围原子对它的制约作用，跳离其原来的位置，使点阵中形成空结点.
间隙原子：从空位中跳离，挤入点阵的空隙位置的原子刃型位错：一种位错在晶体中有一个刀刃状的多余半原子面的位错形式.
螺型位错：原来与位错线相垂直的品而都将由平而酿成螺旋的一种位错形式.
混合位错：滑移矢虽既不服行也不垂直于位错线，而与位错线相交成任意角度的位错.
全位错：把伯氏矢n等于点阵矢n或其整数倍的位错称为“全位错”不全位错：柏氏矢虽不等于点阵矢虽的不全位错柏氏回路：在实际晶体中，西欧那个任一原子动身，围绕位错（避开位错线左近的严重畸变区）以一定的步数作一右旋闭合回路，称为柏氏回路.
柏氏矢虽：通常将形成一个位错的晶体的相移矢虽定义为该位错的柏氏矢虽，用b暗示.
柏氏矢H的物理意义：同一晶体中，位错的柏氏矢H愈年夜，位错强度也愈年夜，标明该位错招致的点阵畸变愈严重，它所具有的能虽也愈高.
柏氏矢虽的守恒性：不论所做柏氏回路的年夜小、形状、位置如何变卦，怎样任意扩展、缩小或移动，只要它不与其他位错线相交，对给定的位错所确定的柏氏矢虽是一定
的.
位错的滑移：在外加应力作用下，通过位错中心左近的原子沿柏氏矢虽方向在滑移面上不竭地作少虽的位移的进程交滑移：当某一螺型位错在原滑移面上受阻时，：刃型位错在垂直于滑移面的方向上运动，把多余半原子面向上或向下运动的进程.
位错的交割：一个位错在某一滑移面上运动时，会与穿过滑移面的其他位错发作相互作用的进程^割阶：垂直于位错滑移面得曲折滑移曲线.
扭折：在滑移面上的曲折滑移曲线.
位错密度：单位体积晶体中所含的位错线的总长度.
位错增殖：晶体在受力进程中，位错发作运动，位错数目增加，位错密度变年夜的进程.
扩展位错：通常把一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组称为扩展位错^层错能：层错破坏晶体的完整构造和争产的周期性，使电子发作失常的衍射效应，使晶体增加的能虽.
扩展位错交滑移：位错束集呈全螺型位错，然后再由该全位错滑移到另一个滑移面上的进程.
晶界：属于同一固相但位向分歧的晶粒之间的界面称为晶界.
亚晶界：相邻亚晶粒之间的界面称为亚晶界^晶界能：形成单位面积界面时系统的自由能变卦^挛晶界：两个晶体沿一个公共晶面构成晶面对称的位向关系，这两个晶体的公共晶面就称为挛晶面.
相界：，相界面可分为共格相界、半共格相界和非共格相界三种类型.
第四章固体中原子及分子的运动质虽浓度单位体积混合物中某组分的质虽称为该组分的质虽浓度.
分散物质分子从高浓度区域向低浓度区域转移，直到平均散布的现象.
间隙分散原子从一个晶格中间隙位置迁移到另一个间隙位置.
空位分散通过空位停止跳动的分散称为空位分散^下坡分散物质从高浓度向低浓度的分散.
上坡分散物质从低浓度向高浓度的分散.
稳态分散质虽浓度不随时间变卦而变卦的分散称为稳态分散.
非稳态分散质虽浓度随时间变卦而变卦的分散称为非稳态分散.
分散系数分散系数是描述物质分散难易水平的重要参虽.
分散通虽暗示单位时间内通过垂直于分散方向x的单位面积的分散物质质虽.（J暗示）概略分散在样品自由概略发作的分散称为概略分散^第五章资料的形变和再结晶1、弹性变形：指外力去除后能够完全恢复的那局部，可从原子间结合力的角度来理解它的物质赋性.
2、弹性模虽：资料（金属、陶瓷和局部高分子资料）不论
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