霍尔效应的应用实验报告.doc

名称:霍尔效应的应用七、目的: 2 .测绘霍尔元件的 V H—Is,V H— I M 曲线,了解霍尔电势差 V H 与霍尔元件工作电流 Is,磁场应强度 B及励磁电流 IM之间的关系。 B及磁场分布。 “对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。八、器材: 1、实验仪: (1)电磁铁。(2)样品和样品架。(3)Is和 I M换向开关及 V H、V ó切换开关。 2、测试仪: (1)两组恒流源。(2)直流数字电压表。九、原理: 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场 HE 。如图 15-1 所示的半导体试样,若在 X方向通以电流 SI ,在Z方向加磁场 B ,则在 Y方向即试样 A-A /电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图所示的 N型试样,霍尔电场逆 Y方向,(b)的P 型试样则沿 Y方向。即有) (P0)( ) (N 0)(型型????YE YE H H 显然,霍尔电场 HE 是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场力 H eE 与洛仑兹力 Bve 相等,样品两侧电荷的积累就达到动态平衡,故 Bve eE H?(1) 其中 HE 为霍尔电场, v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽为 b,厚度为 d,载流子浓度为 n,则 bd vne I S?(2) 由(1)、(2)两式可得:d BIRd BIne bEV SH SHH??? 1 (3) 即霍尔电压 HV (A、A /电极之间的电压)与BI S乘积成正比与试样厚度 d 成反比。比例系数 ne R H1?称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出 HV (伏)以及知道 SI (安)、B (高斯)和d (厘米)可按下式计算 HR (厘米 3/库仑):R H= 810 ?BI dV S H(4) 上式中的 10 8是由于磁感应强度 B 用电磁单位(高斯)而其它各量均采用 CGS 实用单位而引入。由于产生霍尔效应的同时,伴随多种副效应,以致实测的霍尔电场间电压不等于真实的 V H 值,因此必需设法消除。根据副效应产生的机理,采用电流和磁场换向的对称测量法基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。具体的做法是 Is和B(即 I M )的大小不变,并在设定电流和磁场的正反方向后,依次测量由下面四组不同方向的 Is和B(即 I M)时的 V 1,V 2,V 3,V 4, 1) +I s +B V 12) +I s -BV 23) -I s -BV 34) -I s +B V 4 然后求它们的代数平均值,可得: 4 4321VVVVV H????通过对称测量法求得的 VH误差很小。另一方面,射载流子浓度为 n,薄片厚度为 d,则电流强度 I与u的关系为: bdnqu I?……(5),则可得到 d IBnq V BB1??……(6),令nq R 1?,则 d IBRV BB??……(7),R称为霍尔系数,它体现了材料的霍尔效应大小。根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。在应用中,