一种电流采样电路的制作方法.docx

一种电流采样电路的制作方法
一种电流采样电路的制作方法
本发明提供一种电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管、采样功率NMOS管M2、M3、M4、采样电阻Rs，分流功率NMOS管和采样功率NMOS管M2、M3和M4的漏极接管脚P一种电流采样电路的制作方法
一种电流采样电路的制作方法
本发明提供一种电流采样电路，包括管脚Ps、分流功率NMOS管、采样功率NMOS管M2、M3、M4、采样电阻Rs，分流功率NMOS管和采样功率NMOS管M2、M3和M4的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管和采样功率NMOS管M2的栅极接电源Vin，采样电阻Rs的一端接采样管M2、M3、M4的源极，另一端接地，其特征在于：采样功率NMOS管M3和M4的导通状态被信号分别控制，所述控制采样功率NMOS管M3和M4导通状态的信号外部输入管脚A和管脚B提供。可以实现多种限流值，方式简单。
【专利说明】一种电流采样电路
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及集成电路领域，特别涉及用于模拟集成电路中的电流采样电路。
【背景技术】
[0002]在集成电路的中，尤其是模拟集成电路中，为了检测大电流，因为功耗等的要求需要对电流进行采样后在进行检测。而通常电流的采样只能有一种采样值。
[0003]这样的方案主要存在以下缺陷:
因为只能采样一种电流，所以它所能检测的电流值只有一种，不便于实现多种电流值得采样检测。
【发明内容】
[0004]为了解决电流检测电路只能采样一种电流值，不便于实现多种电流值得采样检测的缺点。
[0005]本发明的解决方案如下:
一种电流采样电路，包括管脚PS、分流功率NMOS管(3)、采样功率NMOS管M2 (4)、M3(5)、M4 (6)、采样电阻Rs (8)，分流功率NMOS管(3)和采样功率NMOS管M2 (4)、M3 (5)和M4 (6)的漏极接管脚Ps，分流功率NMOS管(3)和采样功率NMOS管M2 (4)的栅极接电源Vin，采样电阻Rs (8)的一端接采样管M2 (4)、M3 (5)、M4 (6)的源极，另一端接地。采样功率NMOS管M3 (5)和M4 (6)的导通状态被信号分别控制，所述控制采样功率NMOS管M3
[5]和M4(6)导通状态的信号外部输入管脚A (7)和管脚B (8)提供。
[0006]本发明具有以下优点:
电流米样电路信号A和B由外部输入由外部输入第一管脚(7)和第二管脚(8)提供。实现多种限流值，方式简单。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本发明的示意图。
【具体实施方式】
[0008]如图1所示，Ml、M2、M3、M4为功率NMOS管。Ml为分流管，M2、M3、M4为采样管。其中M1、M2栅极接电源Vin，因此M1、M2是处于常导通状态，为固定接入状态。M3、M4的导通状态通过外部输入管脚7和8提供的信号A、B分别接M3、M4的栅极进行控制。当M3、M4的栅极信号为高电平时M3、M4导通，为低电平时M3、M4截止。根据实际需要控制M3、M4的导通状态。管脚Ps接功率MOS管Ml、M2、M3、M4的漏极。采样电阻Rs —端接采样管M2、M3、M4的源极，另一端接地。
[0009]Ps中有电流输入。因为M1、M2是处于常导通状态，Ps中的电流流过Ml、M