多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺.doc

------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺第41卷增刊 2007年12月原子能科学技术AtomicEnergy ScienceandTechnologyV01 . 41 , Sup 多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺邓婉婷1 ’2, 吴爱民1 ’2”, 张广英1 ’2, 秦富文1 ’3, 董闯1 ’ 2,姜辛1 ’2“(1 . 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室, 辽宁大连1 16024} 2. 大连理工大学材料科学与工程学院, 辽宁大连116024 I3. 大连理工大学物理与光电工程学院, 辽宁大连116024 I ,锡根57076,德国) 摘要: 采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积( ECR-P ECVD ) 方法, 以SiH . 和Hz为气源, 在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。利用XRD 、 Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响。结果表明, 制得的多晶硅薄膜多以( 220 ) 取向择优生长, 少数条件下会呈现( 111 ) ------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————择优取向。当衬底温度为300 ℃、Hz流速为25mL/min 、微波功率为600W时, 多晶硅薄膜结晶状态最好, 且呈最佳的(2 20)取向。关键词: 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积} 多晶硅薄膜; 低温生长中图分类号: TN304 . 8文献标志码: A文章编号: 10 00 — 6931(2007)S1-0436 — 05 PreparationofPolycrystalIin eSiliconFilmsbyPlasma ’ Enhanced ChemicalVaporDepositionatLo wTemperature DENGWan-tin91 ”,WUAi — minl ’ 2一, ZHANGGuang-yin91 ”, QINFu-wenl ”, DONGChuan91 ”, JIAN GXinl ’2’4 ( UniversityofMaterialsModifi cationbyLaser , IonandElectronBe ams , DalianofTechnology , Dalian1 16024 , China ;2. SchoolofMaterial sScienceandEngineering, ofTechnology , Dalian116024 , Ch ------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— ina ;3. SchoolofPhysicsandOptoel ectronicDalianUniversity Technology,DalianUniversity 4. InstituteofTechnology , Dali an116024 , China ; ofMaterialsEngi neering , SiegenUniversity , Siege n57076,Germany) Abstract:UsingSilltandH2 preparedonassourcegases , thep olycrystaUinesiliconthinfilms wereresonanceglassbyelectronc yclotronplasma —— enhancedchemi calvapordepo —— assition ( ECR — PECVD ) technique . Theeffectsofthedepositionpara meters,suchthe substratetemperature , theflow ratioofH2andthemicrowavepower , wereinvestigated收稿日期: 2