琼琼 文档 (2).doc

------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————琼琼文档(2) 封装是 IC 芯片生产完成后不可缺少的一道工序,是器件导系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。在微电子器件的总体成本中, 设计、芯片制造以及封装测试各占了三分之一。最初的封装其目的是保护芯片免受周遭环境的影响。所以在最初的微电子封装中, 是用金属作为外壳, 用与外界完全隔离的、气密的方法,来保护脆弱的电子元件。但是,随着集成电路技术的发展,尤其是芯片钝化层技术的不断改进,封装的功能也在慢慢异化。通常, 封装主要有以下五大功能:功率分配(电源分配) 、信号分配、散热通道、环境保护及机械支撑。 IC 封装步骤因产品而异,但其基本流程是不会有大的变化的。下面为大家简单介绍 IC 的基本封装流程。 1 Laminater (贴膜) 用辊轴采取适当力度在 Wafer 的正面( 线路面) 贴上一层保护膜(通常为蓝色的 UVTape ), 以防止 Wafer 在 Grinding 时受到污染或磨损电路。 2 Backlap/Grinding (背面打磨) 对 Wafer 进行打磨,把 Wafer 的厚度磨制需求厚度,通常为 230um 、 320um 、 80um ,而电路本身基本为 10um 的程度。 3 Tape remove (去膜) ------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————给 UVTape 照射适当的紫外光以消除粘性,再利用 Remove Tap e 将其打开。 4 Tape mount (贴膜) 为了防止在切割时 Wafer 发生分裂影响后续工艺, 用胶膜( Tape ) 和钢圈( Ring )把 Wafer 固定起来。 5 Sawing/Dicing ( 切割)沿 Wafer 上的 Street ( 切割线), 用金刚石切刀( Blade ) 切至 Wafe r 厚度的 95% ,使其分裂成独立的 Die 。将金刚石切刀装在高速旋转的 Spindle 上,靠机械力量将 Wafer 划开。 6 Inspection ( 检测) 用高倍显微镜检查出不良的 Die ,目的是减少后续工序的次品。 7 Die attach ( 芯片粘贴) 利用黏合剂( Epoxy 或 Solder )把 die 和 lead frame (引线框架) 粘贴在一起,以保证两者之间电气、加息的可靠连接。在 Die Attac h 前须对切割好的 Wafer 进行紫外光照射,目的是减小胶膜的粘性,以方便将 Die 从胶膜上取走。 8 Oven cure (烘赔) 采用高频加热方式,对粘帖上 Die 的 lead frame 在 Oven 中进行分段加热,使 Epoxy 固化。 9 Wire bonding (WB, 金线键合) 用高纯度的金线或铝线把 Die 上的 Pad 和 Lead Frame 上的 Lea d 连接起来,使 Die 同外部电路导通。在 WB 之前会先用等离子气体冲击 Die 和 Lead Frame 表面,除去杂质。 10 Inspection (检测) ------------------------------------------------------------------------------------------------ ——————————————————————————————————————用低倍显微镜检查出不良的 W/B 产品。 11 Moiding (压模) 为了防止周遭环境( 热辐射、机械冲击、化学腐蚀等)对 Die 的影响,用 EMC ( Epoxy pound , 热固性树脂)将 W/B 后的产品封装起来,完成后的产品即可称为 Package 。 EMC 在常温下也会缓慢固化, 且水分会影响 EMC 的成型质量, 所以一般 EMC 需保存在低温(通常处于 5℃以下)干燥的环境中。 12 Mold cure (烘赔) 加热以加速 EMC 的固化速度。 13 Plating (电镀) 为了保护 Lead 不受环境影响,在其表面镀上一层保护膜。 14 Marking/Laser (印字) 在 Molding 产品的正面用激光打印上代表产品名称、生产日期、商标、生产地之