光敏电阻特性实验报告.docx

光敏电阻特性实验
一、 实验目的：
了解光敏电阻的光照特性、光谱特性和伏安特性等基本特性。
二、 基本原理：
1、 光线的作用下，电子吸收光子的能量从键合状态过渡到自由状态，引起电导率的变化， 这种现象称为光电导效应。
2、 光电光敏电阻特性实验
一、 实验目的：
了解光敏电阻的光照特性、光谱特性和伏安特性等基本特性。
二、 基本原理：
1、 光线的作用下，电子吸收光子的能量从键合状态过渡到自由状态，引起电导率的变化， 这种现象称为光电导效应。
2、 光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照愈强，器件自身的电阻愈小。基于这种效 应的光电器件称光敏电阻。
3、 光敏电阻无极性，其工作特性与入射光光强、波长和外加电压有关。
三、 需用器件与单元：
主机箱、安装架、普通光源、各种滤光镜、光电器件实验(一)模板、光敏电阻探头、照 度计模板、光照度探头。
四、 实验步骤：
1、亮电阻和暗电阻测量
光敏电阻实验原理图
调节光敏电阻工作电压:
亮电阻测试：
暗电阻测试： 实验结果:
表鳧、暗■电阻的测量
亮电流11

売电阻艮L

暗电流由 0. OluA
暗电阻置
50 W
分析：
一般情况下，实用的光敏电阻的暗电阻往往超过1MQ，甚至高达100MQ,而亮电 阻则在几kQ以下，可见测量数据有效。
2光照特性测试
光敏电阻的工作电压一定时（5V）,它的阻值（光电流）随光照度变化而变化。按表3-2进 行测量，作图3-2.。
表光敏电阻光照特性测试数据
光照度E S
0
20'
?0
40-
50
&0
70
.80
9U-

光由喷I （mA）
0
0. 64
0. 99
1. 3
1. 52
1. 75

■
■2/29
2. 45
2. e|
-
理论上，光敏电阻在弱光照下，光电流I与光照度E具有良好的线性；在强光照下则 为非线性。根据测试数据所画得的光照特性曲线较好地满足上述情况，说明实验操作准确。
分析:
3伏安特性测试
光敏电阻在一定的光照度下，光电流随外加电压的变化而变化
（1） 调节光源电压为lOOLx时对应的电压值
（2） 调节光敏电阻工作电压的值读取相应的光电流
（3） 重复测试不同照度的伏安特性，将测量数据填入表3-3，并作图3-3。
表光敏电阻并同光照度下的伏安数拒
1
0
1
3
4
5
6
7
3
9
10
11
12
0
r
C
|】
0
D
0
0
0
D
0
0
0
0
10
C
0. 1舌

0. 43：

ij.



1. 38

」

30
0
0. 26







2. 5

.


0
0. 37

1只