半导体名词解释0004.docx

何谓PIE PIE的主要工作是什幺
答：Process Integration Engineer^艺整合工程师）,主要工作是整合各部门 的资源，对工艺持续进行改善，确保产品的良率（yield）稳定良好。
200mm, 300mm Wafitical dimension)
在STI的形成步骤中有一道liner oxide （线形氧化层），liner oxide的特 性功能为何
答：Liner oxide为1100C, 120 min高温炉管形成的氧化层，其功能为：
①修补进STI etch造成的基材损伤；
②将STI etch造成的etch尖角给于圆化（corner rounding）0
一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤 功能为何
答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所需要的组件电
子特性，一般包含下面几道步骤：
①Well Implant :形成 N,P 阱区；
②Channel Implant:防止源/漏极间的漏电；
③Vt Implant:调整Vt （阈值电压）。
一般的离子注入层次（Implant layer）工艺制造可分为那几道步骤
答：一般包含下面几道步骤：
①光刻（Photo）及图形的形成；
②离子注入调整；
③离子注入完后的ash （plasma侍离子体»青洗）
④光刻胶去除（PR strip）
Poly （多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些
答：①Gate oxide（W极氧化层）的沉积；
②Poly film的沉积及SiON衽光刻中作为抗反射层的物质）的沉积）；
③Poly图形的形成（Photo）;
④Poly及 SiON的 Etch；
⑤Etch完后的ash（ plasma容离子体）清洗）及光刻胶去除（PR strip）；
⑥ Poly 的 Re-oxidation （二次氧化）。
Poly （多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方
答：①Poly的CDR寸大小控制；
②避免Gate oxie被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.
何谓Gate oxide （B极氧化层）
答：用来当器件的介电层，利用不同厚度的 gate oxide，可调节栅极电压对
不同器件进行开关
源/漏极（source/drain）的形成步骤可分为那些
答：①LDD的离子注入（Implant）;
②Spacer的形成；
③N+/P+IMP高浓度源/漏极（S/D）注入及快速热处理（RTA Rapid Thermal Anneal）
LDD是什幺的缩写用途为何
答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD1使用较低浓度的源/漏极，以防止组件产 生热载子效应的一项工艺。
何谓Hot carrier effect （热载流子效应）
答：在线宽小于以下时，因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场，导致载流 子在移动时被加速产生热载子效应，此热载子效应会对gate oxide造成破坏，造 成组件损伤。
何谓Spacer Space蚀刻时要注意哪些地方
答：在栅极（Poly）的两旁用dielectric （介电质）形成的侧壁，主要由Ox/SiN/Ox 组成。蚀刻spacer时要注意其CD大小，pro巾le（剖面轮廓），及remain o