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电子工程师必备基础知识手册(五):半导体器件
半导体器件
一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:
第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N 型锗材料、B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。表示三极管时:A-PNP 型锗材料、 B-NPN 型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、 C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管
(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号
第五部分:用汉语拼音字母表示规格号
例如:3DG18 表示NPN 型硅材料高频三极管
二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:
第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2 三极或具有两个pn 结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn 结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA 注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注
册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP 型高频管、B-PNP 型低频管、 C-NPN 型高频管、D-NPN 型低频管、F-P 控制极可控硅、G-N 控制极可控硅、H-N 基极单结晶体管、J-P 沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA 登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA 登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。
第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F 表示这一器件是原型号产品的改进产品。
三、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:
第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、 JANS-宇航级、(无)-非军用品。
第二部分:用数字表示pn 结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn 结器件、n-n 个 pn 结器件。
第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美。
第四部分:美顺序号。多位数字-该器件在美的顺序号。
第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如: JAN2N3251A 表示PNP 硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA 登记顺序号、A-2N3251A 档。
四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:
第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=~ 如锗、B-器件使用材料的Eg=~ 如硅、C-器件使用材料的
Eg> 如砷化镓、 D-器件使用材料的Eg< 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、 C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G- 复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、 M-封闭磁路中的霍尔元件、P-