数字技术跃上新台阶.pdf.pdf

维普资讯
艄肆
~
数字会议技报道术跃上新台阶●
高密度存储单元、改进的抗熔存储单元及高性能工艺都可供未来的设计使用
可望制作吉。位动态随机存取沟槽之上。这种结构只需一十额外的但电绝缘该带状电报也可去掉,这是因
存储器和位静态的根简单的制造工序,即有选择地生长一为在晶体管和存储节点之间的连接是
存储单元结构的进展, 及可在. 个硅外延层圉。在栅极形成之前产生的。
或更低电源电压下工作的高密度逻辑这种新的存储单元同“与非阵列在同一会场,韩国三星公司介绍一
电路的发展,这些都是在会议上体系结构组合在一起这种体系结构将种可望用于兆位和吉位
展示的重大进展,它表明存储器密度和十存储单元串联在一起,全都共用单的存储单元论文、这种采用五氧
逻辑电路的复杂性都在飞速提高在多一位缄触点。
层金属互连和器件结构上的改进,也预总面积要比传缱的折叠位线布局减少单圆柱形电容器的形式。它
示着下一代逻辑芯片的电路复杂性将。是用化学一机械抛光平面工艺、
会有重大改进。在该小单元中,有源区在扩大的同纯钨位线和铝软熔工艺翘作
,仍可象其他设计郭样保持同样的隔的。为了使这种制造工艺适合于大批量
进的动态和静态会场上,有三篇离间隔。这是在硅被局部氧化之后,但生产,三星公司设计人员扩大了工艺裕
论文着重谈到了一些最新存储器结构在形成栅极氧化层之前这段时间内进度,并使关键的工序数比传统
取得的最新进展。日本东芝公司、韩国行横向过生长而实现的。
三星电子公司和日本公司均介绍单元中,为了能确保根低的软错误率. 元的改进程度,他们用兆位
了存储容量高达吉位及超过吉位的务必要维持存储电荷。
存储器使用的新籁存储单元结构和电这一电容值可以通过减小在生长高成品率的牦位试制蒜片。
路体系结构。的外延层上形成的晶体管橱极之间的为了制作单圆柱形存储单元,三星
,东芝公司介绍了间隔米保持。之所以能这样做,是因为公司的工艺工程师『门先制出氟化钍和
他们的存储器结构。其平面晶体管是这新颖的沟槽结构不需要。棚壁间隔,从多晶硅双层平板电报,然后再制作钨多
样制造的,它突出在构成存储电容器的而可使带状电报与橱极电报之间保持晶硅化合物字线和纯钨位线见圉该
国选择性硅外廷工艺使末芝,\司能采日与非”型体系结构制作非常密集的存储阵列。沟槽电容器是在选
择性生长的外延层上形成的,并可比试公司以往的与非结构靠碍更为紧密。
一字践一硅选择生长层沟柑电容一位践—
一扩太的有效区;—局部化硅隔离区隔离
维普资讯
甜饕了存储茧
的热聚集,并提高了减少单兀面积
一㈣,日本公司技
性。术人员介绍了可用于制造通用吉位
此外,利用的方法,它把电容器放在位线
技术,三星公司的工上所研制的单元面积仅为.
线艺和设计字师线之获得同了的位层元它采,为用迄今报道的最小存储器单
.微米工艺作,在存储
闻介质的完美平面器阵列中采用了新翼的对有位线体系
瓣结构。这就更便于位结构见圉。
髓线图案的布局,因为如同三星公司研