实验三内存储器部件实验.doc

实验三内存储器部件实验
一、实验目的
1、学习和掌握ROM和RAM芯片的功能、读写原理和使用方法;
2、掌握存储器的字、位扩展技术和方法;
3、通过学习TEC-XP+计算机的存储器系统,深入理解计算机主存储器的功能和组成。
二、实验说明
TEC-XP+教学计算机存储器系统由ROM和RAM两个存储区组成。ROM存储区由2个EEPROM芯片58C65(8192×8位)组成,容量为8192×16位。RAM存储区由2个RAM芯片6116(2048×8位)组成,容量为2048×16位。TEC-XP+教学计算机中还预留了2个存储器芯片插座,可以插上相应存储器芯片进行存储器容量扩展的教学实验。
CPU
G1 Y0
G2A Y1
G2B Y2
Y3
C Y4
B Y5
A Y6
Y7
+5V
74LS138
0000H~
2000H~
4000H~
6000H~
8000H~
A000H~
C000H~
E000H~
MEMQ
A15
A14
A13
A12
A11
A10
∶
A0
D15
∶
D8
D7
∶
D0
RD
WR
A10 …… A0
CS
WR
D7 … D0
A12 A11 …… A0
CS
ROM
CS
D7 …… D0
A10 …… A0
CS
WR
D7 … D0
RAM
A12 A11 …… A0
ROM
RAM
OE
OE
OE
OE
D7 …… D0
TEC-XP+教学计算机存储器系统组成结构图
三、实验内容
1、完成存储器容量扩展实验,为扩展存储器选择一个地址,注意读写和/OE等控制信号的正确状态;
2、用监控程序的D、E命令对存储器进行读写,比较RAM(6116)、EEPROM(58系列)存储特性的区别以及在读写上的差异;
3、用监控程序的A命令编写一段程序,对RAM(6116)进行读写,用D命令查看结果是否正确。
四、实验步骤
重要提示:
1)确保教学机处于断电状态;
2)检查FPGA板下方的标有“RAMH/CE”、“RAML/CE”、“ROMH/CE”和“ROML/CE”的四组跳线,确保均为左边两个针短接;
3)检查RAM(6116)上方标有“/WE”的跳线插针,确保左边两个针短接。
4)将运行控制开关置为“001100”,打开教学计算机的电源;
5)进行联机操作,然后先一下按RESET键,再按一下START键。
1、RAM实验
RAM(6116)支持随机即时读写操作,可直接用A命令向存储器输入程序或用、E命令改变存储单元的内容。RAM中的内容在断电后会消失,重新启动后会发现存储单元的值发生了改变。
1)用E命令改变内存单元的值,并用D命令观察结果。
①在命令行提示符状态下输入:
E 2020↙
屏幕显示: 2020 内存单元原值
按如下形式键入:
原值:2222(空格) 原值:3333(空格) 原值:4444(空格) 原值:5555
②在命令行提示符状态下输入:
D 2020↙
观察屏幕显示的从2020内存单元开始的值。
③断电后重新启动教学实验机,用D命令观察内存单元2020-2023的值。
2)用A命令输入一段程序,执行并观察结果。
①在命令