MTK电路原理分析
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MTK使用的是6229的BB芯片,Transeiver使用的是MT6140,PA为3159芯片。
6229和6230的区别为CAMERA的支持像数,6229支持200万像数,6230只
支持30万像数。
6229和6226,6225等BB芯片的区别为6229内部多了一个DSP用于支持
EDGE,并且6229的主频为104MHZ,相对于传统的BB芯片52MHZ的主频处
理速度快了许多,所以6229不仅可以支持OTG,TVOUT,并且还支持WI-FI。
,OTG的数据线规范要求不能大于20CM,如果过长
会对信号有较大的衰减和反射。
。
RTC(实时时钟)晶振,,可以很方便的
分频,很精确的得到一秒的计时。
频。在手机电路中还有一主时钟,一般为13MHz或是其倍频。之所以选用
13M这样的时钟是为了与基站同步。
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MTK和其他机种使用的FLASH也是不同的。MTK采用混合储存器的
方式不同于以往的NOR+NAND存储器方式。
NOR+NAND存储器采用NOR来存储BIOS代码,采用NAND存储代
码(操作系统和应用软件)和数据,易失性RAM被用来存储执行代码时
的变量和数据结构。这种存储器解决方案采用代码映射或请求调页来
执行存储在NAND中的操作系统和应用软件。
混合存储器采用SRAM和NAND,采用NAND作为非易失性存储器,
所以这类解决方案的存储密度能做得很高。这些解决方案可以直接从
NAND引导,不再需要高端蜂窝手机中昂贵的引导NOR,因此可降低
总系统成本。它们还可以减少元器件数量,节省了电路板空间。但
是,这些混合解决方案的引导时间较长、复杂度较高、难以集成且需
要主机上有支持请求调页的先进操作系统。
MIC电路
MICBIASP和MICBIASN为MIC电路的正负两路偏置电压,-。
C204,C205主要为滤除射频信号的干扰。如果有GSM900MHZ的干扰则使用33PF的电
容,如果有DCS1800MHZ的干扰可以使用12PF的电容,如果有WIFI
。
C206主要是抑制共模信号。
C201,C202为100NF电容,主要作用为隔直通交,防止直流电使PA饱和,产生信号偏移,
主要滤除100HZ一下的电流。
B201,B202为磁珠,主要滤除高频部分的干扰。
MIC偏置电流流向为从MICBIASP----MICBIASN,而不用公共的GND,主要是因为GND干
扰太大。
磁珠有很高的电阻率和磁导率,他等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随频率变
化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性,在高频时呈现阻性,所以能在相当宽的
频率范围内保持较高的阻抗,从而提高调频滤波效果
MIC内部结构
OUTPUT
CP
TERM。1
RL
C
C1
C2
VS
Shield case
TERM。2
GROUND
C1=10pf
C2=33PF
RL=
VS=
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Mic有一个振动系统,该系统在声波的作用下产生振动,并通过不同的物理效应将振动转
换为相应的电压变化、电容变化或电阻变化,最终都以电压变化的形式输出。所以,
我们要Mic电路要采集的数据是Mic两端电压的变化。
CP就是那颗能根据振动调整容值的电容,然后通过后面的场效应管放大信号,C1,
C2为虑除900MHZ和1800MHZ影响的滤波电容。
耳机电路
VDD
100K
VDD
47K-190K上拉电阻,典
型值为75K
B
- C
EINT
BB
A
未插入耳机时,A点断开,所以B点处于高电平,二极管截至,C处为高电平,所以
EINT为高电平。BB芯片判断耳机未插入。
当插入耳机时,由于耳机一般为64欧姆,32欧姆,或者16欧姆(MTK使用的为32欧姆)。
相对于100K欧姆,,二极管导通,+=,EINT值
为低电平,BB芯片接受到中断。判断可能为耳机插入。但这样还是不够的,耳机插入还需
要满足下面另一个条件。
MICBIOS
MICBI
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