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EXCEL工资表模板222222平板探测器的原理及应用
主要内容
平板探测器的概念
非晶硒平板探测器
非晶硅平板探测器
平板探测器的指标与评价
平板探测器
平板探测器
典型的平板型DR组成
X线高压发生器
产生高压(高压,灯丝,高压整流,交换闸)
X线球管
产生X射线
准直器
减少散射线控制照射野
平板探测器
将X射线转换成已处理的电信号
图像后处理系统
A/D转换,图像预处理,图像重建等
探测器的种类
直接能量转换
非晶态硒(Amorphous Selenium,a-Se)
间接能量转换
非晶态硅(Amorphous Selenium,a-Si+碘化铯(CsI) /硫氧化钆(gá)( GdOS/Gd2O2S)
CCD
间接型FPD
主要是由闪烁体或荧光体层加具有光电二极管作用的非晶硅层(amorphous Silicon,a-Si)再加TFT阵列构成。
直接型FPD
由非晶硒层(amorphous Selemium,a-Se)加薄膜半导体阵列(Thin Film Transistor array,TFT)构成的平板检测器。
直接型-非晶态硒
典型结构:
①非晶硒层(a-Se)
光电导材料
②薄膜半导体阵列
(Thin Film Transistor array,TFT)
尺寸数十厘米
非晶硒型成像原理
向非晶硒层加正向偏置电压(0-5kv),即预置初始状态。
X射线照射,非晶硒层产生电子、空穴对在外加电场下产生电流,并在TFT层存储电荷。
读出TFT层存储的电荷,放大并经过A/D转换后输出到计算机。
所有电荷信号被读取后,消除残余电荷,恢复到初始状态。
X射线
影响非晶硒平板探测器的图像质量的因素
-X线转换成电信号完全依赖于非晶硒层产生的电子空穴对,DQE的高低取决于非晶硒产生的电荷能力。由于没有可见光的产生,不发生散射,空间分辨率取决于单位面积内薄膜晶体管矩阵大小,矩阵越大薄膜晶体管的个数越多,空间分辨率越高,随着工艺的提高可以做到很高的空间分辨率。
由于早期非晶硒平板探测器制作工艺存在缺陷,大面阵探测器的稳定性较差在市场占有率逐年减少,DR市场上主要以非晶硅平板探测器为主。目前非晶硒平板探测器主要用于乳腺DR上。