化学气相沉积技术省公开课一等奖全国示范课微课金奖ppt课件.pptx

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目录
CVD概述
CVD法主要特点
CVD法制备薄膜过程
常见CVD反应方式
CVD反应物质源
CVD装置组成
CVD装置选择
影响CVD沉积层质量原因
CVD种类
CVD应用
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CVD(化学气相沉积法):化学气相沉积是在一定真空度和温度下，将几个含有组成沉积膜层材料元素单质或化合物反应源气体，经过化学反应而生成固态物质并沉积在基材上成膜方法。
CVD概述
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CVD法主要特点
与电镀相比，能够制成金属及非金属各种各样材料薄膜
能够制成预定各种成份合金膜
能够制成超硬，耐磨损，耐腐蚀优质薄膜
速度快
附着性好
在高温下沉积膜能够得到致密性和延展性方面优良沉积膜
射线损伤低
装置简单，生产率高
轻易预防污染环境
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CVD法制备薄膜过程
反应气体热解
反应气体向表面基材扩散
反应气体吸附于基材表面
在基材表面上发生化学反应
在基材表面上产生气体副产物脱离表面而扩散掉或被真空泵抽掉，在基材表面沉积出固体反应产物薄膜
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常见CVD反应方式
热分解反应
金属还原反应
化学输送反应
氧化或加水分解反应
等离子体激发反应等反应
金属有机物化学气相沉积
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CVD反应物质源
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CVD制备薄膜时基材温度区域
CVD方法制备薄膜时基材3个温度区域
生长温度区/℃
反应系
薄膜
应用实例
低温生长
室温~200
紫外线激发CVD、臭氧氧化法
钝化膜
约400
等离子体激发CVD
约500
中温生长
约800
钝化膜
电极材料
多晶硅
高温生长
约1200
外延生长
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CVD装置组成
CVD装置
反应室
气体流量控制系统
蒸发容器
排气系统
排气处理系统
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CVD装置选择
主要考虑原因有：
反应室形状和结构（主要是为了制备均匀薄膜）
普通采取水平型、垂直型和圆筒型。
加热方法和加热温度
加热方式有：电加热、高频诱导加热、红外辐射加热、激光加热等。
气体供给方式
基材材质和形状
气密性和真空度
原料气体种类和产量
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