缺点 不能重写 只能一次性改写 只读存储器 掩模式 (ROM) 一次编程 (PROM) 多次编程 (EPROM) (EEPRPM) 定义 数据在芯片制造过程中就确定 用户可自行改变产品中某些存储元 可以用紫外光照射或电擦除原来的数据,然后再重新写入新的数据 优点 可靠性和集成度高,价格便宜 可以根据用户需要编程 可以多次改写ROM中的内容 闪速存储器 Flash memory (1) 掩模式ROM 采用掩模工艺制成,其内容由厂方生产时写入,用户只能读出使用而不能改写。 有MOS管的位表示存1, 没有MOS管的位表示存0。 (2). PROM (一次性编程) VCC 行线 列线 熔丝 写“0”时: 烧断熔丝 写“1”时: 保留熔丝 ( 3). EPROM (多次性编程) (1) N型沟道浮动栅 MOS 电路 G 栅极 S 源 D 漏 紫外线全部擦洗 D 端加正电压 形成浮动栅 S 与 D 不导通为“0” D 端不加正电压 不形成浮动栅 S 与 D 导通为“1” S G D N + N + P 基片 G D S 浮动栅 SiO 2 + + + + + _ _ _
