第2章 晶体三极管.ppt

第2章晶体三极管
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(1).晶体三极管组成:
两个结,三个区,三个极
(2) 晶体三极管内部结构:
发射区进行高掺杂,多子浓度很高。
基区做得很薄,掺杂少,多子浓度很低。
集电结面积大于发射结面积
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放大:发射结正偏,集电结反偏
饱和:发射结正偏,集电结正偏
截止:发射结反偏,集电结反偏
* 晶体三极管的主要特性与工作模式有关
放大状态下晶体三极管的工作原理
1. 内部载流子运动:满足内部和外部条件下,内部载流子运动有三个过程
1)发射:IE=IEN+IEP
发射区多子电子通过阻挡层形成 IEN
基区多子空穴通过阻挡层形成 IEP
IE=IEN+IEP≈IEN
IEN :发射区电子→基区
IEP :基区空穴→发射区:全部被发射区电
子复合掉
R2
+
_
+
_
R1
IB
· · · ·
N+
P
ICN2
· · ·
·
ICP
N
IEP
·
ICN1
IEN
IC
IE
IC=ICP+ICN2+ICN1
= ICN1+ICBO
= ICN+ICBO
IE= IEN= ICN+IBN
= IC+IB
IE=IEN+IEP≈ IEN
(IEN﹥﹥IEP)
IBN
2) 复合和扩散:发射区电子→基区
①少数与空穴复合—IBP
②大多数在基区中继续扩散到达靠近集电
结的一侧—ICN1
3) 收集:
①集电结反偏阻止集电区多子电子向基区
②有利于基区扩散过来的电子收集到集电区
(ICN1)
少子漂移电流 ICBO (=ICP+ICN2)
2) 静态直流电流
IE=IEN+IEP≈ IEN (IEN﹥﹥IEP)
IC=ICP+ICN2+ICN1= ICN1+ICBO = ICN+ICBO
ICBO =ICP+ICN2 为反向饱和电流
IE= IEN= ICN+IBP = IC+IB
* VBE增加, IB增加,IC增加
|VBC|增加, IB略减小——基区宽度调制效应(集电结电压调制效)
IC主要受VBE控制
2 电流传输方程
1) 共基直流电流放大系数
2) 共射直流电流放大系数