第三章
场效应管
模拟电子技术基础
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场效应管是利用电场效应来控制电流大小,与双极型晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好、噪声低。
结型场效应管JFET
绝缘栅型场效应管MOS
场效应管有两种:
引言:
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§ 金属-氧化物-半导体场效应管
一、 N沟道增强型
P
N
N
G
S
D
P型基底
两个N区
SiO2绝缘层
导电沟道
金属铝
G
S
D
N沟道增强型
1、结构和电路符号
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N
P
P
G
S
D
G
S
D
P 沟道增强型
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2、MOS管的工作原理
P
N
N
G
S
D
UDS
UGS
UGS=0时
D-S 间总有一个反接的PN结
ID=0
对应截止区
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P
N
N
G
S
D
UDS
UGS
UGS>0时
UGS足够大时(UGS>VGS(Th))感应出足够多电子,这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。
感应出电子
VT称为阈值电压
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UGS较小时,导电沟道相当于电阻将D-S连接起来,UGS越大此电阻越小。
P
N
N
G
S
D
UDS
UGS
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P
N
N
G
S
D
UDS
UGS
当UDS不太大时,导电沟道在两个N区间是均匀的。
当UDS较大时,靠近D区的导电沟道变窄。
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P
N
N
G
S
D
UDS
UGS
夹断后,即使UDS 继续增加,ID仍呈恒流特性。
ID
UDS增加,UGD=VGS(Th) 时,靠近D端的沟道被夹断,称为予夹断。
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B
VGS=const
VDS
iD
VGS-VGS(TH)
预夹断后,夹断点向源极方向移动,沟道的长度略有减小,相应的沟道电阻略有减小,结果漏极电路稍有增大。
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