硅光电导探测器研制.pdf

敢籉��一业硅光电导探测器研制�弧猠��猼’。—��—�施志贵,贾焕义�锢砩杓����事实上,高阻硅单晶体内的俘获和复合中为载流子寿命。物理意义是:光电导探测器单位度��扛傥狤��/��。灵敏度与载流子寿命戚正比,由几何尺寸以及外加偏压决定。高阻硅单晶的载流子寿命在�量级,灵敏体积为��考兜墓獾绲继逄讲�器,在���棺饔孟拢�涔岽┓�淞槊舳染�可达到���考叮�扛傥猍��/��。第三届全国核仪器应用学术会议论文集�泄�こ涛锢硌芯吭旱缱庸こ萄芯克��嘌����利用��族元素的晶体化合物进行化学掺杂金属的光电导体,如��:�、��篎��作为一种新型高速辐射探测器,在脉冲粒子束诊断、惯性约束聚变诊断、同步加速器诊断、核取得了许多具有实用价值的结果。它们对光、软�湎摺�射线和带电粒子都是敏感的,并且响应速度可达�量级“’。但其�湎吡槊舳缺���氲继逄骄餓器低��量级,因此限制了快心较少,载流子寿命很长��考�,因此其�出很多。如果把基悼有效体积做的相对大一些,那么完全有可能在较低偏压���左右��获得较高的灵敏度,并且探测器的时间响应特性仍然很好。本文利用高阻硅单晶,用真空蒸发的方法,研制成功了一种新型高速光电导辐射探测器,可用于低注量的�龀宕シ⑵鳌�半导体材料吸收辐射射线而产生光生载流子。从而使半导体的电导率发生变化的现象称为光电导效应。利用光电导效应制成的探测器探测器。它是有豫元件,工作时要加以适当的偏压。图�9獾绲继讲馄鞯奈锢砟P蚚�。式中,�蚸分别为光电导探测器输出的电荷量和电流,�蚉分别为光电导体灵敏体积内吸收的剂量和功率。根据光电导探测器的工作原理,灵敏体积中电子输出电流的贡献是主要的。单位灵敏体积内电子浓度随时问变化,。为�笨痰ノ涣槊籼寤�诓��缱铀俾剩琽生成的载流子浓度与被复合或俘获的载流子浓式中,�5缱拥绾桑�拔5缱忧ㄒ坡剩琍为材料密度,�2牧鲜倜�琖·�L讲馄鞯缂�面积,�5缂ḿ渚嗬耄瑄为产生一个电子一空穴对所需的平均能量,为外加偏压。可以看出,光电导体探测器对贯穿辐射的武器诊断和武器效应模拟装置诊断等工作中,响应、低�⒘砍『系挠τ谩�射线灵敏度要比普通意义上的光电导探测器高称为光电导探测器,简称����������光电导探测器灵敏度�ㄒ逦#�的速率为:式中.��为�笨痰ノ涣槊籼寤�诘缱优ǘ龋�灵敏体积单位时间内现存的载流子浓度,等于度之差。对��浇�惺奔浜吞寤�郑�⒋�氡�界条件,得到光电导探测器对贯穿辐射的灵敏��痙�/�摘要:,、:高阻硅;真空蒸发;高灵敏������������������叫。
峁股杓朴牍ひ罩谱��崾��结剂安装在微带线上,并进行选择性蒸发,使欧的平行六面体结构。几何尺寸�辍罻���定。采用寿命很长的高阻硅材料制作光电导体行低注量�龀宀馐允匝椤�������姆接触电极与微带线导体带条连通,从而实现偏压的接人以及信号的输出。最后把作好的探测器安装在带有同轴电缆头的外壳中,形成完探测器采用如图��镜耐�峤峁梗河谜�空蒸发方法,将被切割、研磨并腐蚀好的光电导体喷镀金、锑台金,形成两