加H2镀OLED用ITO导电玻璃
为了解决OLED用ITO导电玻璃表面粗糙度和抛光粉残留影响发光器件的发光效率及其使用寿命,希望直接用真空镀膜工艺得到低粗糙度ITO。在金工的指导下查阅大量资料,做了大量实验初步研究出真空设备直接镀出低粗糙镀ITO,下面是实验内容与结果:
样品号
Ar+O2/
SCCM
Ar SCCM
H2 SCCM
气压 Pa
速度 HZ
功率 KW
镀膜温度℃
退火温度
电阻Ω/□
Tr %
Ra
备注(退火工艺)
1#
85
70
8×2
RT
380
26
90
Ar/O2=200 10 分钟
2#
85
70
8×2
RT
380
26
90
不加气体10分钟
3#
85
70
100
8×2
RT
380
25
90
O2=200 10分钟
4#
85
70
85
8×2
RT
380
22
90
O2=200 10分钟
5#
85
70
85
8×2
RT
380
18
90
不加气体 10分钟
6#
85
70
150
8×2
RT
380
19
89
O2=200 10分钟
以上样品Ra值均达到OLED用ITO玻璃的标准,除4#,其它样品的Ra值均非常理想,可以得出加H2镀膜可以制备出低粗糙度ITO。但也同时出现一个问题,样品电阻偏高,为了降低电阻下面实验是镀复合膜系。样片是先常温镀一层薄膜300埃左右,然后升温到380度再镀1200埃。
样品号
Ar+O2/SCCM
Ar SCCM
H2 SCCM
气压 Pa
速度 HZ
功率 KW
电阻Ω/□
镀膜温度℃
Tr %
Ra
1#-1
8
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