晶体三极管的伏安特性曲线.ppt

输入特性是指三极管输入回路中,加在基极和发射极的电压UBE与由它所产生的基极电流IB之间的关系。
(1)UCE = 0时相当于集电极与发射极短路,此时,IB和UBE的关系就是发射结和集电结两个正向二极管并联的伏安特性。
因为此时JE和JC均正偏,IB是发射区和集电区分别向基区扩散的电子电流之和。
一、输入特性曲线
1
输入特性曲线簇
2
(2)UCE≥1V 即:给集电结加上固定的反向电压,集电结的吸引力加强!使得从发射区进入基区的电子绝大部分流向集电极形成Ic。
同时,在相同的UBE值条件下,流向基极的电流IB减小,即特性曲线右移,

总之,晶体管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似,因为b、e间是正向偏置的PN结(放大模式下)
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特性曲线
IC
mA
A
V
V
UCE
UBE
RB
IB
EC
EB
实验线路
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一、输入特性
UCE 1V
IB(A)
UBE(V)
20
40
60
80


工作压降: 硅管UBE~,锗管UBE~。
UCE=0V
UCE =
死区电压,,。
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二、输出特性曲线
输出特性通常是指在一定的基极电流IB控制下,三极管的集电极与发射极之间的电压UCE同集电极电流Ic的关系。
现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以IB为参变量时,Ic和UCE间的关系:
即 Ic= f(UCE)|IB = 常数
实测的输出特性曲线如图所示:根据外加电压的不同,整个曲线可划分为四个区:
放大区、截止区、饱和区、击穿区
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二、输出特性
IC(mA )
1
2
3
4
UCE(V)
3
6
9
12
IB=0
20A
40A
60A
80A
100A
此区域满足IC=IB称为线性区(放大区)。
当UCE大于一定的数值时,IC只与IB有关,IC=IB。
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IC(mA )
1
2
3
4
UCE(V)
3
6
9
12
IB=0
20A
40A
60A
80A
100A
此区域中UCEUBE,集电结正偏,IB>IC,UCE。
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IC(mA )
1
2
3
4
UCE(V)
3
6
9
12
IB=0
20A
40A
60A
80A
100A
此区域中: IB=0,IC=ICEO,UBE< 死区电压,称为截止区。
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输出特性曲线簇
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