最优激励下LPDA相控阵的特性分析.pdf

电子对抗技术·第 19 卷吴世龙’,尹成友’,张克芳2
2004 年 3 月第 2 期最优激励下 LPDA 相控阵的特性分析
中图分类号:; 文献标识码:A 51一1418(2004)02 一0031一04
最优激励下 LPDA 相控阵的特性分析
吴世龙‘,尹成友’,张克芳2
(,合肥 230037;2. 日进电子技术有限公司,合肥 230031)
摘要:通过对天线阵最优激励的理论推导,得到了短波对数周期相控阵天线的激励与波束指向
之间的关系,利用M atlab 语言编程计算了等幅激励下不同波束指向所需的激励相位,得到了8
元阵列的方位和俯仰扫描方向图。所得结果表明,可以通过对激励的控制,实现阵列的宽角扫
描能力,这对短波LPDA 相控阵的设计具有一定的指导意义。
关键词:对数周期天线;相控阵;最优激励;宽角扫描
A nalysiothCharacteristicoO ptim izeExciteLPD PhaseA rrays
V Shi-longs,YICheng-youl,M ANKe-fang2
(1Micro wavStaf oElectro niEngineeri nInstitutoPLA ,Hefe230037China;
2RijiElectroniTechnologCoLtdHefe230031China)
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在相控阵天线设计中,我们可以通过改变阵对数周期天线作为阵元的短波宽角扫描八元相控
列的外加激励实现对其电性能的控制。但是如何阵进行分析,给出一种用于求解阵列增益取得最
确定使天线阵获得最大增益时所需要的激励,是大值时所需激励的方法,并且借助于这种方法,通
一个很值得研究的问题。目前,针对这个问题人过改变对阵列的激励,达到调整阵列方向图以及
们已经进行了大量的研究,并且大都是基于天线增益的目的,以保证天线阵能够工作在最佳状态。
的方向性而展开的,而这当中并不包