半导体存储器.doc

第七章半导体存储器
基本要求
1 .熟悉随机存取存储器(RAM)的工作原理。
2. .掌握典型RAM的功能及容量扩展的方法。
3. 熟悉只读存储器(ROM)的结构、工作原理。
4. 熟悉常用EPROM的的功能及应用。
习题
某存储器具有6条地址线和8条双向数据线,问存储容量有多少位?
,试分析其工作原理。
指出下列存储系统各具有多少个存储单元,至少需要几条地址线和数据线。
(1)64K×1 (2)256K×4 (3)1M×1 (4)128K×8
设存储器的起始地址全为0,试指出下列存储系统的最高地址为多少?
(1)2K×1 (2)16K×4 (3)256K×32
MCM6264是MOTOROLA公司生产的8k×8位SRAM,该芯片采用28脚塑料双列直插式封装,单电源+5V供电。

表,图中A0~A12为地址输入,DQ0~DQ7为数据输入/输出,G为读允许,W为写允许,E1、E2为片选,NC为空引脚。
试用MCM6264 SRAM芯片设计一个16k×16位的存储器系统,画出其逻辑图。
(a)引脚图(b)逻辑功能表
MCM6264 SRAM的引脚图和逻辑功能表
用16×4位EPROM实现下列各逻辑函数,画出存储矩阵的连线图。

用16×8位EPROM实现下列各逻辑函数,画出存储矩阵的连线图。

,改变ROM的内容,即可改变输出波形。,画出输出端电压随CP脉冲变化的波形。


CP A3 A2 A1 A0 D3 D2 D1 D0
0 0 0 0 0 0 1 0 0
1 0 0 0 1 0 1 0 1
2 0 0 1 0 0 1 1 0
3 0 0 1 1 0 1 1 1
4 0 1 0 0 1 0 0 0
5 0 1 0 1 0 1 1 1
6 0 1 1 0 0 1 1 0
7 0 1 1 1 0 1 0 1
8 1 0 0 0 0 1 0 0
9 1 0 0 1 0 0 1 1
10 1 0 1 0 0 0 1 0
11 1 0 1 1 0 0 0 1
12 1 1 0 0 0 0 0 0
13 1 1 0 1 0 0 0 1
14 1 1 1 0 0 0 1 0
15 1 1 1 1 0 0 1 1
解答示例
解:
一片MCM6264的存储容量是8k×8位,要求扩展为16k×16位的存储器系统。可见,位数需扩大两倍,字数也需扩大两倍。首先,将两片6264相并(A0~A12、W、G、E1、E2分别相并),每片6264有8个数据输入/输出端DQ0~DQ7,两片合并则有16个端:DQ0~DQ15。这样,由两片6264扩展得到8k×16位的存储器。若要使字数扩大两倍,可以对两组8k×16位存储器的E1、E2加适当的控制,并将其它端分别相并,即可扩展为16k×16
位的存储器系统。其中,DQ0~DQ15是它的16条数据输入/输出线,A0~A