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闪速存储器[浏览次数:271次]
闪速存储器(Flash Memory)是一类非易失性存储器NVM(Non-Volatile Memory)即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息;而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器,,,故其集成度更高,,既具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度,又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点,所以快擦写存储器技术发展最迅速。
目录
闪速存储器的概要
闪速存储器的分类及特征
闪速存储器指令
闪速存储器在图像采集系统中的应用
闪速存储器的研究与进展
闪速存储器的概要
闪速存储器的基本存储器单元结构如图1所示。一眼看上去就是n沟道的MOSFET那样的东西,但又与普通的FET不同,特点是在栅极(控制栅)与漏极/源极之间存在浮置栅,闪速存储器利用该浮置栅存储记忆。
图1 闪速存储器的单元结构
浮置栅被设计成可以存储电荷的构造,栅极及主板利用氧化膜进行了绝缘处理,一次积累的电荷可以长时间(10年以上)保持。当然,如果氧化膜存在缺陷,或者由于某种原因使绝缘膜遭到破坏,那么闪速存储器将失去记忆。同时,因为热能必定致使电荷以某概率发生消减,因此数据保存的时间将受到温度的影响。
下面,我们将进一步讨论闪速存储器的擦除与写人的原理。
我们知道,数据的写人与擦除是通过主板与控制栅之间电荷的注人与释放来进行的。例如,一般的NOR闪速存储器在写人时提高控制栅的电压,向浮置栅注人电荷(图2)。而数据的擦除可以通过两种方法进行。一种方法是通过给源极加上+12V左右的高电压,释放浮置栅中的电荷(Smart Voltage Regulator);另一种方法是通过给控制栅加上负电压(-10V左右),挤出浮置栅中的电荷(负极门擦除法)。各种电压提供方式如图3所示。
图2 闪速存储器的写入操作
图3 闪速存储器的擦除操作
图4图示了闪速存储器单元的电压-电流特性。浮置栅的电荷可抵消提供给控制栅的电压。也就是说,如果浮置栅中积累了电荷,则阈值电压(Vth)增高。与浮置栅中没有电荷时的情况相比,如果不给控制栅提供高电压,则漏极-源极间不会处于导通的状态。因此,这是判断浮栅中是否积累了电荷,也就是判断是“1”还是“0”的机制。
图4 闪速存储器单元的电压一电流特性变化
那么,写入操作是提高了Vth还是降低了Vth呢?根据闪速存储器的类型情况也有所不同。作为传统EPROM的一般替代晶的NOR以及硅盘中应用的NAND闪速存储器,在写入时为高Vth;而AND及DINOR闪速存储器中,在写人时为低Vth。
闪速存储器的分类及特征
闪速存储器根据单元的连接方式,如表所示,可分成NAND、NOR、DINOR(Divided bit Line NOR)及AND几类。NAND闪速存储器单元的连接方式如图1所示,NOR闪速存储器如图2所示,DINOR闪速存储器如图3所示,AND闪速存储器单元的结构如图4所示。市场上销售的闪速存储器基本上就是NOR及NAND两种,其中只有NAND闪速存储器的单元是串联的,其他所有类型的单元都是并联的。
表  闪速存储器的单元方式
NOR闪速存储器以读取速度100ns的高速在随机存取中受到人们的青睐。但由于其单元尺寸大于NAND闪速存储器,存在着难以进行高度集成的问题。写人时采用CHE(Channel HotElectron,沟道热电子)方式,即在栅-漏之间加上高电压,提高通过沟道的电子能量,向浮置栅中注入电荷。这样,由于损耗电流变大,在写入时必须由外部其他途径提供+12V左右的电源,因而不适合低电压操作。
图1  NAND闪速存储器的单元结构
图2  NOR闪速存储器的单元结构
与NOR闪速存储器相比较,东芝公司开发的NAND闪速存储器却能够进行高度集成,写人方式也因采用了被称为隧道的方式,即利用了氧化膜所引起的隧道效应现象,故与NOR闪速存储器相比,具有损耗电流较小的特征。但在另一方面,由于单元是串联连结的,所以面向顺序存取,具有随机存取速度慢的缺点。
图3  DINOR闪速存储器的单元结构
三菱与日立结合NAND及NOR闪速存储器的特点,开发了DINOR(Divided bit-line NOR)闪速存储器以及AND闪速存储器。
DINOR闪速存储器的结构是将数据线(位线)分离成主数据线与子数据线的层次,通过各个存储器单元与子数据线的连接,既可以具有像NAND那样的高度可集成性,又具各与NOR同等程度以上的高速随机存取性。因为写人操作也采用了隧道方式,所以较小的写入电流就可完成写人操作。又因数据置换所需要的高电压