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DDR2百度百科解析说明DDR2内存的频率目录DDR2了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR400和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR400具有相同的带宽,,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。封装和发热量DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,属龙的和什么属相最配,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。,,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。双通道内存的搭建需要INTEL芯片组的支持,内存的CAS延迟、容量需要相同。不过,INTEL的弹性双通道的出现使双通道的形成条件更加宽松,不同容量的内存甚至都能组建双通道除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和PostCAS。离线驱动调整OCD(Off-ChipDriver):也就是所谓的离线驱动调整,DDRII通过OCD可以提高信号的完整性。DDRII通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。终结电阻器ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。提高DDRII内存的利用效率PostCAS:它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。在PostCAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(AdditiveLatency)后