集美大学模电总结复习要点.doc

---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。---光敏、热敏和掺杂特性。----纯净的具有单晶体结构的半导体。----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。*PN结的接触电位差---~,~。*PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。*单向导电性------正向导通,反向截止。*二极管伏安特性----同PN结。*正向导通压降------~,~。*死区电压------,。------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳<V阴(反偏),二极管截止(开路)。*三种模型微变等效电路法稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。第一章重点掌握内容:概念半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。二极管按材料分有硅管(Si管)和锗管(Ge管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。其死区电压:Si管约0。5V,Ge管约为0。1 V, 其死区电压:S,Ge管 V。其导通压降:S,Ge管 V。这两组数也是判材料的依据。10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的二极管。(,)②加反向电压时截止,相当断开。③加反向电压并击穿(即满足U﹥UZ)时便稳压为UZ。11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。三极管复习完第二章再判)参考答案:a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。是硅管。b、二极管反偏截止。f、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通,(将二极管短路)使输出电压为U0=3V。G、因V1正向电压为10V,V2正向电压13V,使V2 先导通,(将V2短路)使输出电压U0=3V,而使V1反偏截止。h、同理,因V1正向电压10V、V2正向电压为7V,所以V1先导通(将V1短路),输出电压U0=0V,使V2反偏截止。(当输入同时为0V或同时为3V,输出为多少,请同学自行分析。)、---分为NPN和PNP两种。---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。*输入特性曲线---同二极管。*输出特性曲线(饱和管压降,用U