STM32F207中文数据手册.doc

Page1基于ARM内核的32位MCU,150DMIPs,高达1MBFlash/128+4KBRAM,USBOn-The-GoFull-speed/High-speed,以太网,17TIMs,3ADCs,15个通信&摄像头接口主要特性:内核:使用ARM32位Cortex™-M3CPU,自适应实时加速器(ART加速器™)可以让程序在Flash中以最高120MHz频率执行时,能够实现零等待状态的运行性能,内置存储器保护单元,能够实现高达150DMIPS/()性能。存储器:高达1M字节的Flash存储器512字节的动态口令存储器高达128+4K字节的SRAM灵活的静态存储控制器,支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器并行LCD接口,兼容8080/6800模式时钟、复位和电源管理:~、掉电复位、可编程电压监测器和欠压复位4~26MHz晶体振荡器内嵌经出厂调校的16MHzRC振荡器(25°C下精度为1%)带校准功能的32kHzRTC振荡器内嵌带校准功能的32kHz的RC振荡器低功耗:睡眠、停机和待机模式VBAT为RTC,20×32位后备寄存器,以及可选的4KB后备SRAM供电3×12位A/D转换器,:多达24个输入通道在三倍间插模式下转换速率高达6MSPS2×12位D/A转换器通用DMA:16组带集中式FIFO和支持分页的DMA控制器多达17个定时器:多达12个16位和2个32位的定时器,频率可达120MHz,每个定时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入调试模式:串行单线调试(SWD)和JTAG接口Cortex-M3内嵌跟踪模块(ETM)多达140个具有中断功能的I/O端口:多达136个快速I/O端口,其频率可达60MHz多达138个耐5V的I/O端口多达15个通信接口:多达3个I2C接口(支持SMBus/PMBus)多达4个USART接口和2个UART接口(,支持ISO7816,LIN,IrDA接口和调制解调控制)多达3个SPI接口(传输速度可达30Mbit/s),其中2个可复用为I2S接口,通过音频PLL或外部PLL来实现音频类精度2个CAN接口()SDIO接口高级互连功能:-The-Go控制器带有专用DMA,-The-Go控制器带有专用DMA的10/100以太网MAC.,支持硬件IEEE1588v2(MII/RMII)8到14bit并行摄像头接口,最高达48Mbyte/sCRC计算单元96位唯一ID模拟真正的随机数发生器Page2目录略Page3目录略Page4目录略Page5表格目录略Page6表格目录略Page7插图目录略Page8插图目录略Page9插图目录略Page101简介这个数据手册给出了STM32F205xx和STM32F207xx系列微控制器的说明书。欲知意法半导体STM32™整个系列的更多细节,:完全兼容整个系列。STM32F205xx和STM32F207xx数据手册必须结合STM32F20x/STM32F21x参考手册一起阅读。在整个文档中,他们被称为STM32F20x设备。有关内部闪存存储器的编程、擦除和保护等信息,请参考《STM32F20x/STM32F21x闪存编程参考手册》。参考手册和闪存编程参考手册均可在ST网站下载:rtex™-M3内核的相关信息,请参考《Cortex-M3技术参考手册》,可以在ARM公司的网站下载:/?topic=/®Cortex™-M332位RISC内核。该系列整合了高速嵌入式存储器,Flash存储器和系统SRAM的容量分别高达1M字节和128K字节,高达4K字节的后备SRAM,以及大量连至2条APB总线、2条AHB总线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。该系列产品还带有自适应实时存储器加速器(ART加速器™),在高达120MHz的CPU频率下,程序在Flash存储器中运行时,可以实现相当于零等待状态的运行性能。已经利用CoreMark基准测试对该性能进行了验证。所有产品均带有3个12位ADC模块、2个DAC模块、1个低功耗RTC、12个通用16位定时器(包括2个用于电机控制的PWM定时器)、2个通用32位定时器。1个真随机数发生器(RNG)。所有产品都带有标准与高级通信接口。新增的高级外设包括1个