计算机论文排版总结.docx

计算机论文排版总结目录摘要.....................................................................1 1实验....................................................................32结果与讨论薄膜的结构与形貌.....................................................3 薄膜的电学和光学特性.................................................5 3结论.........................................................................................................................................8 EffectsofAnnealingonPropertiesofZnO/Cu/ZnO TransparentConductiveFilm 李文英,钟建,张柯,汪元元,尹桂林,何丹农。 LiWen—ying1,ZHONGJian2,ZHANGKe2WANGYuan—yuan2, —nong1’2 (1上海交通大学材料科学与工程学院,上海XX40;2纳米技术及应用国家工程研究中心,上海XX41)(1SchoolofMaterialsScienceand ,ShanghaiXX40,China;2NationalEngineeringResearchCenterforNanotechnology,ShanghaiXX41, China) 摘要:室温下利用磁控溅射制备了ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测量仪和紫外一可见分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学及光学等性能与退火温度之间的关系。结果表明:退火前后薄膜均具有ZnO(002)择优取向,随着退火温度的升高,薄膜的晶化程度、晶粒粒径及粗糙度增加,薄膜电阻率先降低后升高,光学透过率和禁带宽度先升高后降低。150。C下真空退火的ZnO/Cu/ZnO薄膜的性能最佳,%,×10-4Q·cIn,×1021cm。关键词:退火;ZnO;Cu;透明导电薄膜中图分类号:TN304;0484文献标识码:A文章编号:1001—4381(XX)01—0044 —05 Abstract:ZnO/Cu/icsputteringdeposi——annealingandthestructure,morphology,electricalandopticalpropertiesofthemultilayerfilmwereinvestigatedbyX—raydiffraction(XRD),canningelectronmicroscope(SEM)。Halleffectmeasurementsys—temandUV—(002)preferentialori—,thecrystallization,,℃%inthevisiblerange,×10—4n·×1021cm一3. Keywords:annealing;ZnO;Cu;transparentconductivefilm Zn0是一种Ⅱ一Ⅵ族宽禁带半导体,在可