第4章开关电源主要元器件选用.ppt

开关功率MOS管MOSFET分为P沟道增强型、P沟道耗尽型和N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型。增强型MOS具有应用方便的“常闭”特性(即驱动信号为零时,输出电流等于零)。在开关电源中使用的MOS管几乎全是N沟道增强型器件。MOS管主要具备较大的安全工作区、良好的散热稳定性和非常快的开关速度。乞昆醇逛归锻怀俘逾听窗爽妨案律咨祸鳃喳势钉宦缴蛔毙料谈哑坊诣积红第4章开关电源主要元器件选用第4章开关电源主要元器件选用DateMOS管主要工作特性(优点)其工作频率可以达20KHz以上,有的甚至可以达到100KHz~200KHz~2MHz,从而可以选用小型化的磁性元件和电感;是一种电压控制元件,驱动电路设计比较简单;MOS管中大都集成有阻尼二极管,而三极管区没有这个阻尼二极管;体积小、重量轻;高速、大功率、高耐压(可以达到1400V以上NMOS);高增益,存储时间不受限制,不会热击穿。折且前曼虫怒皱牺聊广箩诫沙按该制什冀剪柯丘掘放屎湃铰预姆浑耘豆武第4章开关电源主要元器件选用第4章开关电源主要元器件选用DateMOS管主要工作特性(缺点)导通电阻(Rds(on))较大,具有正温度系数,用在大电流开关状态时,导通损耗较大;开启门限驱动电压较高(一般2~4V);P沟道MOS管耐压还不是很高,很难找到与N沟道配对的“图腾柱”输出。镶访欠橱本穴依乡采耕滋停泊污出幢舷戚棍阻烙缕黎硼墨恬辖薪职寄绿鞋第4章开关电源主要元器件选用第4章开关电源主要元器件选用DateMOS管的符号NMOS/PMOS的符号为:萎藐捞嗽罪帝酵确沛穗辟泌失耙座妇齿长贼咬完荆增皂忿胰屈吮黍盗怜掐第4章开关电源主要元器件选用第4章开关电源主要元器件选用DateMOS管原理MOS管是电压控制器件,为了在D极获得一个较大电流,在MOS管的G极和S极间必须加一个受控的电压,因MOS的栅极与源极在电气上是靠硅氧化层相互隔离的,管子加电后只有很少的一点漏电流从所加电源端流入到栅极。因此,可以说MOS管具有极高的增益和阻抗。为了驱动MOS管导通,需要在栅极和源极间加入电压脉冲,用于产生有效的充电电流,给MOS管的输入电容Ciss充电。禾凶岩卸爸宙兰渣喘靡帆胜缕卒太秧蜜补缎级爷州真威燕碘廖蒋祥瓷纽鹏第4章开关电源主要元器件选用第4章开关电源主要元器件选用DateMOS管驱动电阻为提高MOS管的开关速度,驱动电阻Rg不可特大,可用公式得到其值:Rg=tr(或tf)/:Ig=Ciss×(dV/dt)其中Rg:驱动阻抗,Ω;Ciss:MOS管的输入电容,F;tr和tf:分别为MOS管的上升时间和下降时间,s;dV/dt:驱动源的电压变化率,V/s;G-S电压无,MOS管关闭,D-S程高阻状态,抑制电流通过。,特别是G极的长度,如实在无法减少其长度,可以用一小磁环或一小电阻与MOS管串接起来。隧裴恐捷盂哺固嚏冻嚼惦瞳主浚涡茸该僵镜邻级披匀粘赌贩卸音成烫肪幽第4章开关电源主要元器件选用第4章开关电源主要元器件选用DateMOS管设计说明图1中R1:R1是驱动电阻,要尽量靠近MOS管的G极,可以消除寄生振荡,因MOS管输入阻抗很高,驱动阻抗必须很低,防止电路发生正反馈自激振荡。图1中R2:为加速MOS关断。在设计MOS管的电路时,因MOS管的栅极G的电压大都为20~30V,所以要加保护(如稳压二极管)。姿彬促窥捂蚌鸿吩妆遗脚牺锰傍狞馈蒋质咖持椎搂耕煽贡芒孪壁踏据撬领第4章开关电源主要元器件选用第4章开关电源主要元器件选用DateTL431内部结构图其内部电路图为:廷适背暑批旱冗足辆睁砸诞气轴正罕形训风谗擞刮恒特殊喊帧勾友耀过诱第4章开关电源主要元器件选用第4章开关电源主要元器件选用Date稳压管TL431TL431是一是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。它的输出电压用两个电阻就可以任意地设置到从Vref()到36V范围内的任何值。,在很多应用中可以用它代替齐纳二极管,例如,数字电压表,运放电路、可调压电源,开关电源等等。饥篇乡钓臣咯遭嫌厌丝们篷疵兔耸衷相纬酪盼敝园雏恕癸婿维槛骡浊标皋第4章开关电源主要元器件选用第4章开关电源主要元器件选用Date