光生伏特效应光生伏特效应:光照在半导体p-n结或金属—半导体接触面上时,会在p-n结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势;p-n结的光生伏特效应:当用适当波长的光照射p-n结时,由于内建场的作用(不加外电场),光生电子拉向n区,光生空穴拉向p区,相当于p-n结上加一个正电压;半导体内部产生电动势(光生电压);如将p-n结短路,则会出现电流(光生电流)。§,而少数载流子浓度却变化很大,-n结的光生伏特效应浅结pnp耗尽层n----------++++++++++-n结的内建电场无光照P型N型P型N型EfpEfnEf能级弯曲的原因:在热平衡条件下,-n结的能带图光照时n区产生少子空穴,p区产生少子电子;在内建电场的作用下,n区的空穴向p区运动,而p区的电子向n区运动,使p端电势升高,n端电势降低;所以,光生电场由p端指向n端,使势垒降低,产生正向电流IF;由于空穴向p区运动,所以在p-:利用半导体的光生伏特效应,而将光能转换成电能的装置。即将p-n结与外电路接通,只要光照不停止,就会有源源不断的电流流过电路,p-n结起到了电源的作用。这类装置叫光电池。-n结电流方程()I:负载电流;IL:光生电流;Is:p-n结反向饱和电流;V:p-=0,即IL=IF:()-n短路V=0,则IF=0,所得电流为短路电流ISC:()(减少接触电阻,尽量少挡住阳光)
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