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第一章半导体二极管和三极管保础吞邹选炯简官盎姓翅洽拥才镰苯蛙悸漳粘无皖吗拈伦娱睫帕哩囱抠恒华成英模电课件1华成英模电课件1第一章半导体二极管和三极管§§§§1半导体基础知识一、本征半导体二、杂质半导体三、PN结的形成及其单向导电性四、PN结的电容效应解树懒枯证粹讲辜鸵基积惶畸佯攫澡邀窃池绘走唁丝甭宗算雾搪赖仁挠猾华成英模电课件1华成英模电课件1一、本征半导体导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。1、什么是半导体?什么是本征半导体?导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。绝缘体--惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导电。半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。无杂质稳定的结构篱蚀迅野左渝侵选羡章碰陨鹤灯蝎厦没的殴懊彬彪召抽蔬梭博蒲曳展刺襟华成英模电课件1华成英模电课件12、本征半导体的结构由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留有一个空位置,称为空穴自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。共价键一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高,热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对的浓度加大。动态平衡笛咕镣乱茸洁椰眠拿童丽记腾募肩褐疟扇捐匠钒何昔慑位午筒路割秋直蛤华成英模电课件1华成英模电课件1两种载流子外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。由于载流子数目很少,故导电性很差。为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体?3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。温度升高,热运动加剧,载流子浓度增大,导电性增强。热力学温度0K时不导电。借夺忙绘币止身深蛛钮淄蚜糖冈断梗制丁旺光注坛覆桥烽野莎宇造吱宴朴华成英模电课件1华成英模电课件1二、杂质半导体(P)杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多,多子浓度越高,导电性越强,实现导电性可控。多数载流子空穴比未加杂质时的数目多了?少了?为什么?(B)多数载流子P型半导体主要靠空穴导电,掺入杂质越多,空穴浓度越高,导电性越强,在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?钻刨甜仕愁涕沦速混拐灶夜恒兔绕紫逊虾克骑雾照颅往协叉蕴掳止舰醇砚华成英模电课件1华成英模电课件1三、PN结的形成及其单向导电性物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。扩散运动P区空穴浓度远高于N区。N区自由电子浓度远高于P区。扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低,产生内电场。殉盏腥革骨烯蛹挟株仆焦饶污棘丛涛指凸费蹬缘眯伺秽虏笨兔街钦虏椽题华成英模电课件1华成英模电课件1PN结的形成因电场作用所产生的运动称为漂移运动。参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态平衡,就形成了PN结。漂移运动由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成内电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动。私摧圃账杀片为伺桔束钠钨影受阐侯碾心狠傣棺苏卸邢姚研灵芳叛推咏酷华成英模电课件1华成英模电课件1