[指南]pin射频开关+限幅器调研.doc

[指南](它的结构有三层,在硅半导体二极管的P结和N结中间夹着高阻值的本征I层。在正向电流偏置下,空穴和电子被注入到I层。这些电荷不会立刻相互抵消而消失。而是会存在一定的时间(这个时间定义为载流子寿命,这样,就会产生并存储一定的电荷量,这些电荷使得I层的有阻抗降,低到R。当PIN管处于零偏或反偏的时候,在I层不会存储电荷,这样二极管就表现为一个电容CT并联一个电阻R(也就是利用了PIN二极管在不同偏置电流下,存储在I层的电荷量的不同从而表现出高或低的阻抗值。PIN二极管主要参数R正向偏置状态下的串联电阻SC零或反偏状态下的电容rR零或反偏状态下的并联电阻pV最大允许的反偏直流电压R载流子寿命,,L为寄生电感,一般小于1nH,在射频(300KHz-30GHz)情况下其阻抗很小,可忽略。正向偏置时,阻抗主要由R决定,但R亦很小,所以在串联电路中起SS导通作用,也就是开关的“开”。反向偏置时,电阻R和偏置电流成正比,与频率成反比,p其阻值远大于电容C阻抗,因此阻抗主要由C决定,而C阻抗很大,因此在射频电路rrr中起到断开作用,也就是“关”。:不仅开关的最高工作频率会受到限制,最低工作频率也会受到限制,如PIN管就不能控制直流或低频信号的通断。受管子截止频率的影响,开关还有一个上限工作频率。要求开关的频带尽量宽,因为信号源的频带越来越宽。插入损耗和隔离度:插入衰减定义为信号源产生的最大资用功率P与开关导通时负载A获得的实际功率P之比,即P/P。若开关在关断时负载上的实际功率为P,则表LDALDLD示隔离度,写成分贝的形式。根据网络散射参量的定义,有。理想开关,在断开时衰减无限大,导通时衰减为零,一般只能要求两者比值尽量大。由于PIN管的阻抗不能减小到零,也不能增大至无限大,所以实际的开关在断开时衰减不是无限大,导通时也不是零,一般只能要求两者的比值应尽量大,开关的导通衰减称插入损耗,断开时的衰减称为隔离度,插入损耗和隔离度是衡量开关质量优劣的基本指标。目标是设计低插入损耗和高隔离的开关。功率容量:所谓开关的功率容量是指它能承受的最大微波功率。PIN二极管的功率容量主要受到以下两方面的限制,管子导通时所允许的最大功耗;管子截止时所能承受的最大反向电压,也就是反向击穿电压。如果开关工作的时候超过了这些限制,前者会导致管内温升过高而烧毁;后者会导致I区雪崩击穿。它由开关开、关状态下允许的微波信号功率的较小者决定。大功率下的非线性效应(IIP3)也是开关的承受功率的一个主要因素,特别是在移动通信基站中。驱动器的要求:PIN管开关和FET开关的驱动电路是不同的,前者需要提供电流偏置,后者则要求有偏压,驱动器好坏是影响开关速度的主要因素之一。开关速度:指开关开通和关断的快慢,在快速器件中是一个很重要的指标。可以列出I区中的电流方程如下:。开关速度提高到ns量级,通常采用I层很薄的PIN管,因为薄I层中贮存的载流子数量很少,开关时间大大缩短,这种情况下开关时间基本取而与载流子寿命无关。提高开关速度也可选用载流子寿命短的决于载流子渡越I层的时间,管子,增大控制电流的脉冲幅度,但后者受到PIN管最大功率和反向击穿电压的限制。电压驻波比(VSWR):任何在高频信号通道上的元器件不仅会产生插入损耗,也会导致信号传输线上的驻波的增加。驻波是由传送电磁波与反射波干涉而形成的,这种干涉经常是系统中不同部分的阻抗不匹配或者是系统中连接点的阻抗不匹配造成的。开关比:一个PIN管,在不考虑封装寄生参量时,其正向状态可用正向电阻R1表示,反向状态可以用反向串联电阻R2和I层容抗jXc,串联表示。由于>>R2,,故反向状态可近Xc似以jXc表示,我们称正反两种状态下阻抗的比值Xc,R1为开关比,用以衡量PIN开关的优劣。如要使开关比增大,则C和R2必须比较小,可以看出,当频率提高时,开关性能降低。,可以简单的分为单刀单掷开关(SPST)和单刀双掷开关(SPDT)。串联方式主要用于宽频,较小插入损耗的应用中;并联主要用于宽频范围较大隔离度的应用中。,如果二极管D1处于正向状态,二极管D2处于反向状态,则通道1被短路,,因而无功率通过,而通道2由于处于开路状态而不影响功率的通过。由于D1接在离分支点,4处,在D1短路时,反映到分支点为开路,因此不影响功率对通道2的传输。,串联或并联一只P