:..:本设备为软轴提拉型单晶炉,是在惰性气体(氩气)环境中,用石墨电阻加热器将硅半导体材料溶化,用直拉法生长单晶的设备。9001型炉采用18"热场,投料量60Kg,可拉制6"或8"的单晶。(1201型炉,采用18”或20”热场,投料量最大120Kg,,可拉制6"~10"的单晶。):本设备采用软籽晶轴提升机构,显著降低了单晶炉的高度,因而在一般厂房中即可安装使用,便于装配维修和拉晶操作,同时实现了籽晶轴转速稳定的效果。本设备在性能和控制上都进行了改进。在机械结构方面采用了先进的磁流体密封技术、拱形封头式炉盖结构以及合理的主、副室提升机构。单晶的提升采用的是可承受190Kg的不锈钢丝绳。炉室结构为顶开式,主炉室和副炉室开启时由螺母丝杠装置实现上移。上升到位后对称旋出,便于机动取出晶体,拆除热场系统和清理炉内各部。主炉室和副炉室之间,设有翻板阀,可在维持主炉室工艺条件不变的情况下取出晶体,更换籽晶。:9001型1201型 ±10%,50HZ3相380V±10%,50HZ :200KVA230KVA3.
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