单晶炉技术说明书 编制校对批准更改数量更改单号签名日期更改数量更改单号签名日期 : 本设备为软轴提拉型单晶炉,是在惰性气体(氩气)环境中,用石墨电阻加热器将硅半导体材料溶化,用直拉法生长单晶的设备。 9001 型炉采用 18" 热场,投料量 60Kg ,可拉制 6"或8"的单晶。(1201 型炉,采用 18”或20”热场,投料量最大 120Kg,, 可拉制 6"~10" 的单晶。) : 本设备采用软籽晶轴提升机构,显著降低了单晶炉的高度,因而在一般厂房中即可安装使用, 便于装配维修和拉晶操作,同时实现了籽晶轴转速稳定的效果。本设备在性能和控制上都进行了改进。在机械结构方面采用了先进的磁流体密封技术、拱形封头式炉盖结构以及合理的主、副室提升机构。单晶的提升采用的是可承受 190Kg 的不锈钢丝绳。炉室结构为顶开式,主炉室和副炉室开启时由螺母丝杠装置实现上移。上升到位后对称旋出, 便于机动取出晶体,拆除热场系统和清理炉内各部。主炉室和副炉室之间,设有翻板阀,可在维持主炉室工艺条件不变的情况下取出晶体,更换籽晶。 : 9001 型1201 型 . 电源 3相380V ± 10%,50HZ 3相380V ± 10%,50HZ . 变压器容量: 200KVA 230 KVA . 加热器最大加热功率: 150KVA 150 KVA . 加热器最高加热电压: 65V65V . 最高加热温度: 1500 ℃1500 ℃ . 冷炉极限真空度: 3Pa 3Pa . 晶体直径: φ 6"/ φ8"φ6"~φ10" . 熔料量: 9 0Kg 120Kg . 主炉室尺寸: φ850× 1220mm φ900 ×120 0mm . 旋阀通径: φ 260mm φ 300mm . 副炉室尺寸: φ260 × 2270mm φ300 × 2300mm . 籽晶拉速范围: 0~ 8mm/min 0~ 8mm/min . 籽晶快速: ≥4 00mm/min ≥4 00mm/min . 籽晶转速范围: 0~ 48R/min 0~ 48R/min . 坩埚升速范围: 0~ 2mm/min 0~ 2mm/min . 坩埚快速: ≥1 00mm/min ≥1 00mm/min . 坩埚转速范围: 0~ 20R/min 0~ 20R/min . 籽晶提升有效行程: 29 00mm 30 00mm . 坩埚升降有效行程: 400mm 400mm . 主机占地面积: 2500mmX1500mm 2000mmX1500mm . 主机最大高度: 6300mm 6500mm . 设备安装环境本设备应在清洁、减震的工作环境中运行,应放置在专用的混凝土基础上,环境条件应选在恒温、恒湿车间。也可在能与空气中粉尘、振动和冲击波隔离的较好环境中工作,地面应尽量平整, 并且有自然排水管孔,使回水能自然排放。突然的外界较强烈的冲击振动,有可能影响晶体的内在质量。因此,厂房应尽量选择在避开振源的地方。当条件限制而不能避开时,则要做必要的隔振措施。其具体要求是:
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