单晶炉技术说明书.doc

:本设备为软轴提拉型单晶炉,是在惰性气体(氩气)环境中,用石墨电阻加热器将硅半导体材料溶化,用直拉法生长单晶的设备。9001型炉采用18"热场,投料量60Kg,可拉制6"或8"的单晶。(1201型炉,采用18”或20”热场,投料量最大120Kg,,可拉制6"~10"的单晶。):本设备采用软籽晶轴提升机构,显著降低了单晶炉的高度,因而在一般厂房中即可安装使用,便于装配维修和拉晶操作,同时实现了籽晶轴转速稳定的效果。本设备在性能和控制上都进行了改进。在机械结构方面采用了先进的磁流体密封技术、拱形封头式炉盖结构以及合理的主、副室提升机构。单晶的提升采用的是可承受190Kg的不锈钢丝绳。炉室结构为顶开式,主炉室和副炉室开启时由螺母丝杠装置实现上移。上升到位后对称旋出,便于机动取出晶体,拆除热场系统和清理炉内各部。主炉室和副炉室之间,设有翻板阀,可在维持主炉室工艺条件不变的情况下取出晶体,更换籽晶。:         9001型                     3相380V±10%,50HZ   3相380V±10%,50HZ  :       200KVA           230KVA :   150KVA           150KVA :   65V            :      1500℃           1500℃:     3Pa             :        φ6"/φ8"          φ6"~φ10" :         90Kg            :       φ850×1220mm       φ900×:        φ260mm          :       φ260×2270mm       φ300×:      0~8mm/min         0~8mm/:        ≥400mm/min        ≥400mm/:      0~48R/min         0~48R/:      0~2mm/min      0~2mm/:        ≥100mm/min     ≥100mm/:      0~20R/min       0~20R/:    2900mm         :    400mm         :      2500mmX1500mm    :      6300mm         、减震的工作环境中运行,应放置在专用的混凝土基础上,环境条件应选在恒温、