LED照明基础题和面试题.doc

《LED制造技术与应用》阶段考试(一)填空题(每空1分,共23分)1、590nm波长的光是黄光(填颜色);380nm波长的光是紫光(填颜色),可见光的波长范围是380-780nm。2、目前市场主流的白光LED产品是由InGaN(蓝光)芯片产生的蓝光与其激发YAG荧光粉产生的黄光混合而成的,且该方面的专利技术主要掌握在日本日亚化学公司手中。3、色温越偏蓝,色温越高(冷),偏红则色温越低(暖)。4、对于GaAs,SiC导电衬底,具有面电极的红、黄(单电极或L型)LED芯片,采用银胶来固晶;对于蓝宝石绝缘衬底的蓝、绿(双电极或V型)LED芯片,采用绝缘胶来固定芯片。6、银胶的性能和作用主要体现在:固定芯片、导电性、导热性。7、翻译以下行业术语:示例:外延片Wafer发光二极管Lightemittingdiode芯片chip荧光粉phosphor直插式LEDLEDLamp8、若已知外延材料的禁带宽度(符号:Eg,单位:eV),则该外延片制作的LED发光波长与禁带宽度的关系通常可表示为:nm9、金丝球焊机在操作过程中,四要素是:时间、功率、压力、温度。判断题(对的打“√”,错的打“×”,16分,每小题2分)1、现有YAG黄色荧光粉,分别采用波长为460nm和470nm的蓝光LED芯片激发,则470nm一定比460nm激发的效率高。(×)2、在CIE图中,x代表蓝色,y代表绿色,z代表红色,且x+y+z=1。(×)3、发光强度大于100mcd的LED,称之为超高亮度的LED。(√)4、对于InGaAlP材料,可选取合适的Al-Ga组分配比,以便在黄绿色到深红色的光谱范围内调整LED的波长。(√)5、LED芯片一般采用蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)等半导体材料,其中SiC可作为V型接触的芯片衬底。(×)6、1W的LED称之为中功率LED,大于3W的称之为大功率LED。(×)7、红光单电极LED芯片可以采用银胶固晶,也可以采用绝缘胶固晶,不过一般采用银胶固晶。(×)8、经过测试得到样品A的光通量比样品B的光通量高,则样品A的发光强度比样品B的发光强度高。(×)简答题简述:(1)LED是半导体PN结发光器件,试述其发光机理;(5分)(2)白光LED的发光原理。(5分)(3)白光LED的实现方法。(6分,至少写3种)答:LED是半导体PN结发光器件,其发光机理是:在施加正向电压的情况下,PN结N区自由电子向P区运动,而P区的空穴则向N区运动,在有源层内电子由导带跃迁到价带与空穴复合,产生光子,即电能转化成了光能。(2)白光LED的发光原理是根据红光+绿光+蓝光=白光的三基色原理,由于绿光和红光混合呈黄光,所以一般采取蓝光及其补色黄光混合成白光。(3)白光LED的实现方法有:方法发光机理芯片数1InGaN蓝光芯片+YAG:Ce3+的黄色荧光粉→白光12InGaN蓝光芯片+RGY荧光粉→白光13InGaN(近)紫外光芯片+RGB三基色荧光粉→白光14薄膜层(ZnSe)的蓝光+基板上被激发的黄光→白光15白光LED芯片直接发白光16InGaN蓝光芯片+GaP黄绿光芯片(互补)→白光27InGaN蓝光芯片+InGaN绿光芯片+AlInGaP红光芯片→白光38多种光(InGaN、GaP、AlInGaP)的芯片封装在一起→白光>32、LED产业链可分为上游(外延)、中游(芯片)、下游(封装)、应用(LED路灯、LED灯具等),试述对不同产业段的认识(从技术、产品和用途等角度)。(5分)答:LED产业链分为上游(外延)、中游(芯片)、下游(封装)、应用(LED路灯、LED灯具等),对不同的产业段主要认识有:(一)上游1、技术上主要从事材料生长,难度大,投资风险高;2、产品:衬底、LED外延片(磊晶片)3、用途:LED发光芯片的制造(二)中游1、技术上主要从事电极蒸镀等,难度大,投资风险较高;2、产品:LED芯片3、用途:用于LED封装的核心发光芯片(三)下游1、技术上主要将LED芯片封装成器件,难度较小,投资风险较小;2、产品:直插式LED,食人鱼LED,大功率LED,贴片式LED,数码管等3、用途:用于灯具制造,夜景工程,电器指示灯,背光源等。(四)应用1、技术上主要解决LED的二次光学,结构和散热设计,形成终端产品;2、产品:LED路灯,LED灯具,LED显示屏,LED护栏管等3、用途:LED道路照明,LED照明,LED装饰照明,LED显示,夜景工程等。3、简述(1)直插式白光LED的封装工艺流程;(10分)(2)说明各工艺段的简要内容和注意事项。(15分)答:(一)详细流程:扩晶→点胶→固晶→固晶烘烤→焊线(邦定、键合)→点荧光粉→荧光胶烘烤→粘胶→灌胶(封胶)→短烤→离模→长烤→一切→排测→二切→分光→包装→入库。大致流程:固晶站→