半导体存储器.ppt

11第8章半导体存储器§§(ROM)§(RAM)22§§§;了解半导体存储器的特点及分类;;了解只读存储器的特点和工作原理;;了解随机存取存储器的特点和工作原理;;只读存储器的工作原理;;用只读存储器实现任意函数;。的扩展。33§§:。用于存放永久性的、不变的数据。。用于存放一些临时性的数据或中间结果,需要经常改变存储内容。数字系统中用于存储大量二进制信息的器件是存储器。 穿孔卡片→纸带→磁芯存储器→半导体存储器 半导体存储器的优点:容量大、体积小、功耗低、存取速度快、使用寿命长等。按照制造工艺不同分为:按照制造工艺不同分为:TTL和和MOS存储器两大类。存储器两大类。1. TTL1. TTL型速度快,用作计算机的高速缓冲存储器;型速度快,用作计算机的高速缓冲存储器;2. MOS2. MOS型工艺简单、集成度高、功耗低、成本低等特点,型工艺简单、集成度高、功耗低、成本低等特点,常用作计算机大容量内存储器。常用作计算机大容量内存储器。44按存储信号的原理不同分为:静态存储器和动态存储器两种。,在不失电的情况下,触发器状态不会改变;。电容漏电会导致信息丢失,因此要求定时对电容进行充电或放电,称为刷新。动态存储器都为MOS型。§、存储容量:存储器中存储单元个数叫存储容量,即存放二进制信息的多少。每个存储单元只能存放一位二进制信息。存储器中二值代码都是以字的形式出现的。例如:16位二进制信息构成一个字,要存储一个字,就需要16个存储单元。若存储1024个字,需要1024×16个存储单元。通常,存储容量应表示为字数×位数。2、存取周期:一般用读(或写)周期来描述,连续两次读取(或写入)操作所间隔的最短时间称为读(或写)周期。55§(Read Only Memory)ROM一般由专用的装置写入数据,数据一旦写入,不能随意改写,在切断电源之后数据也不会消失,即具有非易失性;从工艺分ROM器件有二极管、双极型和MOS型ROM三种;按存储内容存入方式的不同,又可以分成固定ROM和可编程ROM;可编程ROM又可以细分为一次可编程存储器PROM、光可擦除可编程存储器EPROM、电可擦除可编程存储器E2PROM和快闪存储器等。固定ROM又称为掩模ROM,其存储的数据固定变;PROM在出厂时存储内容全为1(或者全为0),用户可以根据需要,利用通用或专用的编程器,将某些单元改写为0(或1),但只能写入一次,一经写入就不能再更改;EPROM:存储内容可改变,EPROM所存内容的擦去或改写需要专门的擦抹器和编程器实现。在工作时,也只能读出。E2PROM:可用电擦写方法擦写。66§(译码器)输出输出WW00WW11WW22WW33称为字线,称为字线,每个地址存放一个每个地址存放一个nn位二位二进制信息,由输入的地址进制信息,由输入的地址代码代码AA11AA00确定选中哪条字确定选中哪条字线。线。所有地址码相同的ROM的译码器完全一样。(4×4)的固定ROM0 1 2 3m m m ,故有位信息,故有四条数据线四条数据线DD00DD11DD22DD33,,输出又称位线。输出又称位线。四个输出D3D2D1D0均是由A1A0所组成的函数。即:ROM又可以实现地址变量的任意函数。77(4×4)的固定ROM0 1 2 3m m m =00=00时,则时,则WW00=1=1((WW11WW22WW33为为00)),,此时选中此时选中00号地址使第一列两个二极号地址使第一列两个二极管导通。管导通。DD00DD11DD22DD33=0101=01013 1 32 0 1 31 1 30 00 210 22131 11 1 11 11 10 000