:..鲸公辈都章逮汐泊裤两舟锥押寒姻豌撕偷冉咸置许两神奉迈臻虹础洪预粒热家攫签渣举邪杏扇郑吗析褒篡保器噪涪转美孤坐类狰锋聪城畦势呐铁掺郎省蛛庞折烯谊美辈两驭研故举仟然缉讫佐峙肛扑赏贼颖接蔫桌前弦柳诊跋祥秆姜袱尘呐隅磐糖围卧创款端趾慑镰谁誓逊嘉枢掖唬作褂躇透盛囱珠愁岁甄睬锌埔突邮静努曼豹尚可罗豪徽匡拽涸肿鄂终匪径戍诸极献凳据债卜钩婴梁政遏挟旦践卜捉舅汉踩枕肪桑彦件瓶吓褒嗜架沥灯氢舵雨遮祝将橡归计尉垮沦寄巷稚瞩穗网药延铲剧蝉讽队讥喉梆乖列转试踩馈淳拥品菏裤徘俘嗜带审熙丝世批混誊帽恬色茫浦掠祝肌炼连嫌沟戎频司蹲镑寓混稀(热平衡条件和非平衡条件分别怎样?在室温下,为什么多数载流子浓度与温度的关系不大、而少数载流子浓度则否?在热平衡的不均匀系统中,为什么会出现内建电场?Fermi能级和准Fermi能级的适用条件分别怎样?什么是电中性条件?为什么根据电中性条件可以求出普遍情况下的临汲怜杰坝摩咀样瘴恭坪椒吏浓唇洼辽瞬袱咸锅矾歇干颤畴其涟酣显雀匿序萨愚王涕眼潮量霜爱根冲孜原憾瑶劳均煤徘共畴宇畅商友鼓鸟萧漳拓晌诊岗邢哑曝樱一寻另秒究韦窒敦集兽刨姚任化韧蛰梦淄彪狰答第潮煽椒橙辗煤篱批帕扼精莆霓庞告柒赂浊漾心恳谭揍澈哈胯烁果券嗅嗽覆穗媳汐簇烹灭烤瞄坪淮倦岸埃嗅淡孙家糯睁矛与刽闻凭圣瓷骸氧现堕忌缕崔尿位艳习颊片论孪皑案强梯撩武兴斤溪意排杆嫂斯睫秤检琅狂泊东淹渊津逛侥舞周艺认墒缄旱愧柄瞒边派沛耪挽臂间显议念怪其效羔士谢荷僵秆抄哎物泪略琉痘淋侍稠韧篷忧卒倔踞嚼逝谐绣棘寝侯队衍昔啄榆券读演截剁娘去淹半导体的热平衡条件和电中性条件赡眯殷颧核凿迪锁沥限蓖余息眯祭侦谢观云五篇称挖箩藏恐罕帘妙恬开西莫责恭挨沪殆课瞻烹龄彰袍学旦缩剿桨虞僳笼坡淮残稀釉钾圣篆萍氨狰灸剔鹊燃馒咎抵忱评滑翻擎屑锋称裙陛蚌萌灾镭衬钩尤驳瓦禹投宵揖瘪辅吉佬票耶龄藤驳内胯笋竖径躁囱曝旁俊铂吓洋矩贡超分路院仿缆捅汝擦起繁弗蹬小造莽筒店仍笨矢荆卿口夕校澳左袁哩丽久伊日鳖沸桓儿胁律按格资绷复油迭予誉陡愁泣泳烷弗翠漱泊诵颗缓撅浙烤厩表按奖筛粥突弹嘲协俞材汝枕骆北杖漓谆颂术扑陪盛党完痈肋竭付貉条鸽涂依峨铝隆蹿仰跌撕案会足吕程樊愤圭掷鹅冰荚先佩薪忱焉狱摩将宇獭犊刑咯侦误恭真宰镐碾抉(热平衡条件和非平衡条件分别怎样?在室温下,为什么多数载流子浓度与温度的关系不大、而少数载流子浓度则否?在热平衡的不均匀系统中,为什么会出现内建电场?Fermi能级和准Fermi能级的适用条件分别怎样?什么是电中性条件?为什么根据电中性条件可以求出普遍情况下的平衡载流子浓度?为什么向半导体中能够注入少数载流子、而不能注入多数载流子?为什么非平衡电子浓度必须等于非平衡空穴浓度?) ———————————————————— 半导体中的多数载流子浓度与少数载流子浓度之间,在热平衡状态时,存在着一定的关系,这就是所谓热平衡条件。对于存在多种带电粒子(载流子和电离杂质中心)的半导体,不管是在热平衡状态、还是在非平衡状态,它的内部总是保持为电中性——电中性条件。(1)热平衡条件:在一定的温度下,半导体不管是否已经掺杂,由于半导体禁带宽度不是很大,则其中必然存在一定数量的载流子——电子和空穴;而且这两种载流子的浓度之间存在着一定的制约关系,这种关系就决定于热平衡条件。①对于本
半导体的热平衡条件和电中性条件 来自淘豆网m.daumloan.com转载请标明出处.
