半导体物理考试试卷(2004-11)姓名学号填空(每空1分,共34分),当杂质电离时释放。这种杂质称杂质;相应的半导体称型半导体。,载流子将做运动;在半导体存在外加电压情况下,载流子将做运动。=ni2标志着半导体处于状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积nopo改变否?;当温度变化时,nopo改变否?。,叫做寿命τ,寿命τ与在中的位置密切相关,对于强p型和强n型材料,小注入时寿命τn为,寿命τp为。,是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量,联系两者的关系式是,称为关系式。,它们分别是和。前者在下起主要作用,后者在下起主要作用。;深能级杂质所起的主要作用。,如果以EF和EC的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准,那末,为非简并条件;为弱简并条件;为简并条件。-N结施加反向偏压增大到某一数值时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为,其种类为:、和。?将下列英文名词翻译成中文,并解释之(每题6分,共24分)(1)bination(2)diffusionlength(3)hotcarriers(4)spacechargeregion简要回答(共26分)1.(7分)平衡p-n结的空间电荷区示意图如下,画出空间电荷区中载流子漂移运动和扩散运动的方向(在下图右侧直线上添加尖头即可)。并说明扩散电流和漂移电流之间的关系。2.(10分)n型半导体的电阻率随温度的变化曲线如图所示,试解释为什么会出现这样的变化规
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