四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会论文集 2008年12月功率VDMOS电机可靠性试验及失效分析王欣1洪辛1谢刚’廖忠平1李泽宏“2 。(电子科技大学电予薄膜.’j集成器件国家重点实验室成都610054) 2(无锡华润华品微电子有限公司无锡214061) 摘要:本文阐述了一种电机用功率VDMOS器件的可靠性试验方案和试验过程。对不同驱动电压下VDMOS器件所能承受的最人供电电压进行了测试,分别在轻、重负载下对器件进行不同驱动电压的电机刹车试验。对自主研制的1010以及LP7576 两种型号的器件分别进行试验。关键词:VDMOS可靠性电机试验失效分析 Reliability Experiment and Failure Analysis ofPower VDMOS Wang Xinl Hong Xin‘Xie Gan91 Liao Zhongpin91 Li Zehon91‘。’(State Key Laboratory ofElectronic ThinFilms andIntegratedDevices,UESTC,Chengdu,Sichuan,610054,China) 3(Wuxi China ResourcesHuajing Micro Electronics CO.,LTD,Wuxi。214061,China) ABSTRACT:This paper describes areliabilityexperiment ofVDMOS device including theexperimental project device aimed to use aredone toobtainthemaximum power supply voltages which theVDMOS device can support underdifferentdriving experiments are taken under differentdriving voltages and with both lightandheavy devicesmodeling as 1010 andLP7575 are used tomake theexperiments with. Key words:VDMOS Reliability Electromotor experiment Failure analysis 引言当今电子产品的质量与可靠性已经成为人们普遍关注的焦点,不仅在国防,航天,航空等尖端技术领域倍受青睐,在工业,民用家电等领域也同样为人们所重视。垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率器件是功率电子的重要基础,作为功率开关,VDMOS以其耐高压、低导通电阻等特性常用于功率集成电路和功率集成系统中11I。VDMOS是武器装备体系不可或缺的部分,它为电jr设备提供所需形式的电源和电机设备提供驱动,几乎’。切电子设符和电机设箭都需用到功率VDMOS器件。可靠性是指产品在规定的条件下和规定的时间内,完成规定功能的能力。功率半导体器件通常在要求苛刻的工业应用中使用,任何的器件损坏都将造成严重的经济损失,
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