电子技术复习*第十四章二极管和晶体管基本概念:自由电子、空穴P、N型半导体 掺入几价元素(P型三价,N型五价)多子(掺杂影响)、少子(温度影响) PN结(单向导电性)*二极管::正偏、:USi=,UGe=:单管电路:>V阴,则导通,反之则截止;若UD>0(),则导通,反之则截止多管电路:同上,但压差最大者优先导通,并钳位.*晶体管::e结正偏,c结反偏。IC=ßIB饱和区:e、c结正偏。ßIB≥IC截止区:e结反偏或零偏。IB=:Si,Ge管:, b、e、c极:电位高低 NPN,PNP:c极电位高低稳压管:条件:工作在反向击穿区,Imin<电流<IZM输出:UZ*放大电路分析::C开路,Ui=0;交流通路画法:C短路,UCC为交流地。:由直流通路求IBQ、ICQ、:由微变等效电路求Au、Ri、Ro第十五章基本放大电路*共射放大电路::固定偏置、:Au<0,:*射极输出器(共集放大电路)::Au≈1,ri高、:*放大电路的非线性失真原因::Uo波形削底。Q点太高,应减小IB截止失真:Uo波形削顶。Q点太底,应增大IB(注意:2、3的结论仅对NPN管适用,PNP管电路则与此正好相反!)*放大电路频率特性低频:受耦合电容、:受三极管极间电容、:上限、下限截止频率;通频带*差分放大电路抑制零点漂移(温漂)原理:利用电路结构的对称性,:差模信号、共模信号;共模抑制比长尾式差分电路RE的作用:直流--抑制零漂,稳定Q点;交流--对差模信号不起作用,对共模信号起抑制作用
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