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电子技术复习 12第十四章二极管和晶体管?基本概念: 自由电子、空穴 P、N型半导体掺入几价元素( P型三价, N型五价) 多子(掺杂影响)、少子(温度影响) PN 结(单向导电性) 3 ?二极管: 1. 单向导电性:正偏、反偏 2. 导通压降: U Si = ,U Ge = 3. 电路分析方法: 单管电路: 1. 断开二极管 2. 分析断开点电位高低或其压差 U D 3. 若V 阳> V 阴, 则导通,反之则截止; 若U D > 0(), 则导通, 反之则截止多管电路: 同上, 但压差最大者优先导通,并钳位. 4 ?晶体管: : e 结正偏, c 结反偏。 I C = ?I B 饱和区: e、 c 结正偏。?I B ≥ I C 截止区: e 结反偏或零偏。 I B = 0 : Si, Ge 管: U be压降 , b 、e、 c 极:电位高低 NPN , PNP : c 极电位高低?稳压管: 条件:工作在反向击穿区反向击穿区,I min <电流< I ZM 输出: U Z 5 ?放大电路分析: : C开路, U i = 0 ; 交流通路画法: C短路, 为交流地。 :由直流通路求 I BQ、I CQ、U CEQ 3. 动态:由微变等效电路求 A u、R i、R o第十五章基本放大电路 6 ?共射放大电路: :固定偏置、分压式偏置(1 ) L u be e βR ArβR ???? ???// // (1 ) i b1 b2 be e r R R βRr ? ?? o c r R ? : A u < 0 ,电压放大倍数较高 3. 动态参数: 7 ?射极输出器(共集放大电路): L be L uRβr RβA??????)( )(1 1??// (1 ) i b be L r R βRr ?? ??// // 1 be s b o e r R R r R β??? : A u≈1,r i 高、 r o很低 : 8 ?放大电路的非线性失真 : Q点不合适或信号幅值太大 2. 饱和失真: Uo 波形削底。 Q点太高,应减小 I B : Uo 波形削顶。 Q点太底,应增大 I B (注意: 2、3的结论仅对 NPN 管适用, PNP 管电路则与此正好相反!) 9 ?放大电路频率特性 :受耦合电容、旁路电容影响 2. 高频:受三极管极间电容、分布电容影响 3. 概念:上限、下限截止频率;通频带 10 ?差分放大电路 (温漂)原理: 利用电路结构的对称性,采用双端输出 2. 概念:差模信号、共模信号;共模抑制比 R E的作用: 直流-- 抑制零漂,稳定 Q点;交流-- 对差模信号不起作用,对共模信号起抑制作用