实验报告实验名称存储器部件教学实验实验日期 2013 年 11 月 18 日实验小组人员谢林红符斯慧实验设备 TEC-XP16 教学实验系统、仿真终端软件 PCEC 实验目的 1. 深入理解计算机内存储器的功能、组成知识; 2 .深入地学懂静态存储器芯片的读写原理和用他们组成教学计算机存储器系统的方法(即字、位扩展技术),控制其运行的方式; 3 .思考并对比静态和动态存储器芯片在特性和使用场合等方面的同异之处。实验内容与步骤 1. 检查扩展芯片插座的下方的插针要按下列要求短接:标有“/MWR ”“ RD ”的插针左边两个短接,标有“/MRD ”“ GND ”的插针右边两个短接。 〉用 E 命令改变内存单元的值并用 D 命令观察结果。①在命令行提示符状态下输入: E 2020 ↙屏幕将显示: 2020 内存单元原值: 按如下形式键入: 2020 原值: 2222 (空格)原值: 3333 (空格)原值: 4444 (空格)原值: 5555 ↙②在命令行提示符状态下输入: D 2020 ↙屏幕将显示从 2020 内存单元开始的值,其中 2020H~2023H 的值为: 2222 3333 4444 5555 ③断电后重新启动教学实验机,用 D 命令观察内存单元 2020~2023 的值。会发现原来置入到这几个内存单元的值已经改变,用户在使用 RAM 时,必须每次断电重启后都要重新输入程序或修改内存单元的值。 2 〉用 A 命令输入一段程序,执行并观察结果。①在命令行提示符状态下输入: A 2000 ↙屏幕将显示: 2000 : 按如下形式键入: 2000 : MVRD R0 , AAAA 2002 : MVRD R1 , 5555 2004 : AND R0 , R1 2005 : RET 2006 :↙②在命令行提示符状态下输入: T 2000 ↙ R0 的值变为 AAAAH ,其余寄存器的值不变。 T↙ R1 的值变为 5555H ,其余寄存器的值不变。 T↙ R0 的值变为 0000H ,其余寄存器的值不变。③在命令行提示符状态下输入: G 2000 运行输入的程序。④在命令行提示符状态下输入: R↙屏幕显示: R0=0000 R1=5555 R2= … 3. 将扩展芯片下方的插针按下列方式短接:将标有“/MWR ”“ PGMPGM ”和“ RD ”的三个插针左面两个短接,将标有“/MW D ”“/OE ”“ GND ”的三个插针左边两个短接; 4. 将扩展芯片上方标有 EXTROMH 和 EXTROML 的“/CS ”信号用自锁紧线短接,然后短接到 MEMDC138 芯片的上方的标有“ 4000 - 5fff ”地址单元; 5. EPROM 是紫外线可擦除的电可改写的只读存储器芯片。在对 EPROM 进行重写前必须先擦除并判断芯片是否为空,再通过编程器进行编程; ①D 命令看内存单元 0000~001F 的值。可以看到内存单元的值为: 01FF 02FF 03FF 04FF......1FFF ; ②用E 命令向芯片的内存单元置入数值,再用 D 命令察看,会发现原来的值没有改变;用 A 命令向芯片所在的地址键入程序,用 U 命令反汇编,会发现地址仍然保持原来的值。该实验说明 EPROM 不能直接修改和编程,必须先擦除,再通过编程器编程;
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