单晶硅制绒.doc

. 单晶硅制绒工艺一次清洗工艺说明 1. 目的确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态 2. 使用范围适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序 3. 责任本工艺说明由技术部负责 4. 硅片检验 将包装箱打开,查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求; 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕; ( 见附图一、二) 将不合格品放置规定碎片盒子内,作统一处理。 5. 装片(见附图三) 片盒保持干净,片盒底部衬以海绵,将硅片插入片盒中,每盒最多插 25 片硅片。 禁止手与片盒、硅片直接接触,必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插 100 张硅片,需更换手套。 操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。 6. 上料(见附图四) 硅片插完后,取出片盒底部的海绵,扣好压条。 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中, 每篮 12 个片盒, 片盒之间有适当的间隔。 7 化学腐蚀液的配制 准备:将各槽中破损硅片等杂质清除,用去离子水将各槽壁冲洗干净。 配制:向 5、6、8、1 0# 槽中注满去离子水, 1-4 、7、9# 槽中注入约一半深度的去离子水,按照“ ”比例分别向各槽加入指定量的化学药品,再注去离子水达到指定的高度。 化学腐蚀液的配制比例(见下表) 槽号 1#槽 2-4 #槽7#9#槽功能去损伤层制绒去 Na 2 SiO 3 去金属离子清洗液组成氢氧化钠氢氧化钠异丙醇硅酸钠氢氟酸盐酸 NaOH NaOH IPA Na 2 SiO 3·9H 2O HF HCl 标准浓度(克/升) 40±5 18±55±23±1 53±5 84±5 加入试剂 9 千克 2 千克 12升6 千克 16升32升加入试剂(瓶) 1843 1248 . 液面高度(厘米) 42323232 30 30 配制溶液要求: 配料顺序:1#槽按水、氢氧化钠的顺序; 2-4 # 槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。 7#槽按水、氢氟酸、水的顺序; 9#槽按水、盐酸、水的顺序。 时间要求: 2-4 # 槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后,需等待 10 分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后,才能加异丙醇。 1# 槽配制完毕后, 温度达到工艺要求之后, 同时 2-4 # 槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠 10 分钟后, 才可进硅片。 异丙醇加液要求:需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部,在硅片进入 1#槽之后才能加异丙醇,减少异丙醇的挥发。 8. 各化学药品规格及要求 氢氧化钠:电子纯,容量 500 克/ 瓶,浓度≥ 98% 。 异丙醇:电子纯,容量 4升/ 瓶,浓度≥ % ,密度 克/ 毫升。 硅酸钠:电子纯,容量 500 克/ 瓶。 盐酸: MOS 级,容量 4升/ 瓶,浓度 36% ~ 38% ,密度 克/ 毫升。 氢氟酸: MOS 级,容量 4升/ 瓶,浓度≥49% ,密度 克/ 毫升。 9. 工艺过程化学药品的补加(见下表) 工艺过程 7、9# 槽不需补加化学药品, 1-4 # 槽每清洗一篮硅片按以下要求补加: 槽号 1#槽2~4#槽每清洗一篮硅片排液(cm) 补加 NaOH 补加 NaOH 补加 IPA ± 25± 10g 25± 10g 4 升(一瓶) 备注清洗停止 1 小时以上,每停 1 小时,需补加 2升 IPA ,最多补加 6 升( 瓶) 。 10. 各槽化学液更换频率(见下表) 工艺正常操作时( 不允许全部排液、重新配液) 槽号 1#槽2~4#槽 7#槽 9#槽更换周期 24 小时 24 小时 12 小时 12 小时更换时间早班交接班早班交接班交接班交接班工艺不正常时( 1~4 号槽)更换条件工艺不正常状态 1 连续停机 8 小时以上,要求全部换液重配工艺不正常状态 22~4# 槽, 其中一槽连续 3 篮硅片出现白斑,可以对该槽单独重新配液。工艺不正常状态 32~4# 槽, 其中一槽硅片出现白斑超过 50% ,可以对该槽单独重新配液。工艺不正常状态 42~4# 槽,连续都出现白斑,可以对 1# 槽单独重新配液。 11. 清洗腐蚀工艺参数的设置(见下表) 小片盒放置硅片. 使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置(见下表) 槽位 1#槽 2-4 #槽5#槽6#槽7#槽功能去损伤制绒漂洗喷淋去 Na 2 SiO 3 时间 270 ± 30μm 240 ± 30μm 230 ± 30μm 30 min 5 min 5 min 1 min 4 min 2 min 1