手机外围电路详细介绍.ppt

MTK 电路原理分析? MTK 使用的是 6229 的 BB 芯片, Transeiver 使用的是 MT6140 , PA 为 3159 芯片。? 6229 和 6230 的区别为 CAMERA 的支持像数, 6229 支持 200 万像数, 6230 只支持 30 万像数。? 6229 和 6226 , 6225 等 BB 芯片的区别为 6229 内部多了一个 DSP 用于支持 EDGE ,并且 6229 的主频为 104MHZ ,相对于传统的 BB 芯片 52MHZ 的主频处理速度快了许多,所以 6229 不仅可以支持 OTG,TVOUT, 并且还支持 WI-FI 。? OTG 只支持 版本, OTG 的数据线规范要求不能大于 20CM ,如果过长会对信号有较大的衰减和反射。? 6229 也使用的是 的晶振产生时序电路基准信号。 是 RTC (实时时钟)晶振,用 是因为 32768 是2的 15 次幂,可以很方便的分频,很精确的得到一秒的计时。所有的 RTC 晶振一般都是 或是其倍频。在手机电路中还有一主时钟,一般为 13MHz 或是其倍频。之所以选用 13M 这样的时钟是为了与基站同步。? MTK 和其他机种使用的 FLASH 也是不同的。 MTK 采用混合储存器的方式不同于以往的 NOR+NAND 存储器方式。? NOR + NAND 存储器采用 NOR 来存储 BIOS 代码,采用 NAND 存储代码(操作系统和应用软件)和数据,易失性 RAM 被用来存储执行代码时的变量和数据结构。这种存储器解决方案采用代码映射或请求调页来执行存储在 NAND 中的操作系统和应用软件。?混合存储器采用 SRAM 和 NAND ,采用 NAND 作为非易失性存储器, 所以这类解决方案的存储密度能做得很高。这些解决方案可以直接从 NAND 引导,不再需要高端蜂窝手机中昂贵的引导 NOR ,因此可降低总系统成本。它们还可以减少元器件数量,节省了电路板空间。但是,这些混合解决方案的引导时间较长、复杂度较高、难以集成且需要主机上有支持请求调页的先进操作系统。 MIC 电路 MICBIASP 和 MICBIASN 为 MIC 电路的正负两路偏置电压,一般为 - 左右的电压。 C204 , C205 主要为滤除射频信号的干扰。如果有 GSM900MHZ 的干扰则使用 33PF 的电容,如果有 DCS1800MHZ 的干扰可以使用 12PF 的电容,如果有 WIFI 的干扰则使用 的电容。 C206 主要是抑制共模信号。 C201,C202 为 100NF 电容,主要作用为隔直通交,防止直流电使 PA 饱和,产生信号偏移, 主要滤除 100HZ 一下的电流。 B201 , B202 为磁珠,主要滤除高频部分的干扰。 MIC 偏置电流流向为从 MICBIASP----MICBIASN ,而不用公共的 GND ,主要是因为 GND 干扰太大。磁珠有很高的电阻率和磁导率,他等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性,在高频时呈现阻性,所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗,从而提高调频滤波效果 MIC 内部结构? Mic 有一个振动系统,该系统在声波的作用下产生振动,并通过不同的物理效应将振动转换为相应的电压变化、电容变化或电阻变化,最终都以电压变化的形式输出。所以, 我们要 Mic 电路要采集的数据是 Mic 两端电压的变化。? CP 就是那颗能根据振动调整容值的电容,然后通过后面的场效应管放大信号, C1 , C2 为虑除 900MHZ 和 1800MHZ 影响的滤波电容。 C1 C2 C RL OUTPUT GROUND VS TERM 。1 TERM 。2 Shield case C1=10pf C2=33PF RL= VS= CP耳机电路未插入耳机时, A点断开,所以 B点处于高电平,二极管截至, C处为高电平,所以 EINT 为高电平。 BB 芯片判断耳机未插入。当插入耳机时,由于耳机一般为 64欧姆, 32欧姆,或者 16欧姆( MTK 使用的为 32欧姆)。相对于 100K 欧姆,分压仅为 左右,二极管导通, C处电压为 += 左右, EINT 值为低电平, BB 芯片接受到中断。判断可能为耳机插入。但这样还是不够的,耳机插入还需要满足下面另一个条件。 47K-190K 上拉电阻,典型值为 75K BB VDD VDD 100K EINT 压降为 - A BC XMIC ADC MICBIOS