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LED相关术语目录一、MOCVD工艺简介 1二、欧姆接触 2三、真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀) 3四、ICP刻蚀技术 4五、常用半导体的折射率 5一、Ⅱ或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族元素的氢化物相混合后通入反应腔,混合气体流经加热的衬底表面时,在衬底表面发生热分解反应,并外延生长成化合物单晶薄膜。2.(与其他外延生长技术相比),MOCVD技术有着如下优点: (1)可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等。可以用于生长薄层和超薄层材料。(2)反应室中气体流速较快。因此,在需要改变多元化合物的组分和掺杂浓度时,可以迅速进行改变,减小记忆效应发生的可能性。这有利于获得陡峭的界面,适于进行异质结构和超晶格、量子阱材料的生长。(3)晶体生长是以热解化学反应的方式进行的,是单温区外延生长。只要控制好反应源气流和温度分布的均匀性,就可以保证外延材料的均匀性。因此,适于多片和大片的外延生长,便于工业化大批量生产。(4)通常情况下,晶体生长速率与Ⅲ族源的流量成正比,因此,生长速率调节范围较广。较快的生长速率适用于批量生长。(5)使用较灵活。。首先是所采用的金属有机化合物和氢化物源价格较为昂贵,其次是由于部分源易燃易爆或者有毒,因此有一定的危险性,并且,反应后产物需要进行无害化处理,以避免造成环境污染。另外,由于所采用的源中包含其他元素(如C,H等),需要对反应过程进行仔细控制以避免引入非故意掺杂的杂质。:被精确控制流量的反应源材料在载气(通常为H2,也有的系统采用N2)的携带下被通入石英或者不锈钢的反应室,在衬底上发生表面反应后生长外延层,衬底是放置在被加热的基座上的。在反应后残留的尾气被扫出反应室,通过去除微粒和毒性的尾气处理装置后被排出系统。MOCVD工作原理如图所示。二、-半导体接触的基本原理从性质上可以将金属-半导体接触分为肖特基接触和欧姆接触。肖特基接触的特点是接触区的电流-电压特性是非线性的,呈现出二极管的特性,因而具有整流效应,所以肖特基接触又叫整流接触。欧姆接触的特点是不产生明显的附加阻抗,而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度产生明显的改变。理想的欧姆接触的接触电阻与半导体器件相比应当很小,当有电流通过时,欧姆接触上的电压降应当远小于半导体器件本身的电压降,因而这种接触不会影响器件的电流-电压特性[1]。下面将从理论上对金属-半导体接触进行简要的分析。(1)欧姆接触前面提到:当金属-半导体接触的接触区的I-V曲线是线性的,并且接触电阻相对于半导体体电阻可以忽略不计时,则可被定义为欧姆接触(ontact)。良好的欧姆接触并不会降低器件的性能,并且当有电流通过时产生的电压降比器件上的电压降还要小。(2)欧姆接触的评价标准良好的欧姆接触的评价标准是: 接触电阻很低,以至于不会影响器件的欧姆特性,即不会影响器件I-V的线性关系。对于器件电阻较高的情况下(例如LED器件等),可以允许有较大的接触电阻。但是目前随着器件小型化的发展,要求的接触电阻要更小。 热稳定性要高,包括在器件加工过程和使用过程中的热稳定性。在热循环的作用下,欧姆接触应该保持一个比较稳定的状态,即接触电阻的变化要小,