GB T6624-2009硅抛光片表面质量目测检验方法.pdf.pdf

犐犆犛 2 9 . 0 4 5 犎 8 0 中华人民共和国国家标准犌犅/ 犜 6 6 2 4 — 2 0 0 9 代替 G B / T 6 6 2 4 — 1 9 9 5 硅抛光片表面质量目测检验方法犛狋犪狀犱犪狉犱犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵狋犺犲狊狌狉犳犪犮犲狇狌犪犾犻狋狔狅犳狆狅犾犻狊犺犲犱狊犻犾犻犮狅狀狊犾犻犮犲狊犫狔狏犻狊狌犪犾犻狀狊狆犲犮狋犻狅狀 2 0 0 9  1 0  3 0 发布 2 0 1 0  0 6  0 1 实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布前言本标准代替 G B / T 6 6 2 4 — 1 9 9 5 《硅抛光片表面质量目测检验方法》。本标准与原标准相比主要有如下变化: ———修改了高强度汇聚光源照度要求, 由不小于 1 6 0 0 0 l x 改为不小于 2 3 0 0 0 0 l x ; ———增加了净化室级别要求; ———扩大了照度计测量范围为 0 l x ~ 3 3 0 0 0 0 l x ; ———增加了测量长度工具; ———更改检测条件中光源与硅片之间的距离要求。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准主要起草单位: 上海合晶硅材料有限公司。本标准主要起草人: 徐新华、王珍。本标准所替代标准的历次版本发布情况为: ——— G B / T 6 6 2 4 — 1 9 8 6 、 G B / T 6 6 2 4 — 1 9 9 5 。Ⅰ犌犅/ 犜 6 6 2 4 — 2 0 0 9 硅抛光片表面质量目测检验方法 1 范围本标准规定了在一定光照条件下, 用目测检验单晶抛光片( 以下简称抛光片) 表面质量的方法。本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。 2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件, 其随后所有的修改单( 不包括勘误的内容) 或修订版均不适用于本标准, 然而, 鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件, 其最新版本适用于本标准。 G B / T 1 4 2 6 4 半导体材料术语 3 术语本标准涉及的术语应符合 G B / T 1 4 2 6 4 的规定。 4 方法原理硅抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可以产生光的漫反射, 且能通过目测观察, 据此可目测检验其表面缺陷。 5 设备和器具 5 . 1 高强度汇聚光源: 照度不小于 2 3 0 0 0 0 l x 。 5 . 2 大面积漫射光源: 可调节光强度的荧光灯或乳白灯, 使检测面上的光强度