光电实验报告样本.doc

长春理工大学光电信息综合试验—试验总结姓名:赵儒桐学号:S15040481指导老师:王彩霞专业:信息和通信工程学院:电子信息工程5月20号试验一:光电基础知识试验1、试验目标经过试验使学生对光源,光源分光原理,光不一样波长等基础概念有具体认识。2、试验原理本试验我们分别用了一般光源和激光光源两种。一般光源光谱为连续光谱,激光光源是半导体激光器。在试验中我们利用分光三棱镜能够得到红橙黄绿青蓝紫等多个波长光辐射。激光光源发射出来是波长为630纳米红色光。3、试验分析为了找到光谱需要调整棱镜,不一样面对准光源找出光谱,棱镜不一样面对准光源产生光谱清楚度不一样,想要清楚光谱就需要经过调整棱镜取得。试验二:光敏电阻试验1、试验目标了解光敏电阻光照特征,光谱特征和伏安特征等基础特征。2、试验原理在光线作用下,电子吸收光子能量从键和状态过渡到自由状态,引发电导率改变,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料一个体效应。光照越强,器件本身电阻越小。光敏电阻无极性,其工作特征和入射光光强,波长和外加电压相关。3、试验结果当光敏电阻工作电压(Vcc)为+5V时,经过试验我们看出来改变光照度值,光源电流值是发生改变。光照度增加电流值也是增加。测得试验数据如表2-1:光敏电阻光照特征试验数据光照度(Lx)-1光敏电阻光照特征试验数据得到光敏电阻光照特征试验曲线::G5528电压(U)(Lx)50电流(mA)(mA)(mA)-2光敏电阻伏安特征试验数据经过试验我们看出光敏电阻光电流值随外加电压增大而增大,在光照强度增大情况下流过光敏电阻电流值也是增大,得到数据如表2-2。得到伏安特征以下:,接收光灵敏度是不一样,测量对应多种颜色光透过狭缝时电流值,得到数据以下表:颜色波长(nm)光敏电阻型号GL—5528电流(μA)红630--------3光敏电阻光谱特征试验数据得到光谱特征曲线图:、试验分析经过本试验现象能够看出光敏电阻暗电阻越大,而亮电阻越小则性能越好。也就是说,暗电流越小,光电流越大,这么光敏电阻灵敏度越高。光敏电阻光照特征是描述光电流和光照强度之间关系,不一样材料光照特征是不一样,,该光敏电阻光照特征是非线性。在一定照度下,流过光敏电阻电流和光敏电阻两端电压关系称为光敏电阻伏安特征。,在一定电压范围内,光敏电阻伏安特征曲线靠近直线。试验三:光敏二极管特征试验1、试验目标了解光敏二极管工作原理及光生伏特效应。2、试验原理当入射光在本征半导体P-N结及其周围产生电子-空穴对时,光生载流子受电场作用,电子和空穴分别漂移到N区和P区,从而两端形成电动势,这一现象称为光生伏特效应。假如将光敏二极管在外电路中把P-N短接,那么会产生反向短路电流,光照时反向电流会增加,而且光电流和照度成线性关系。3、试验结果试验得到数据以下表:光敏二极管光照特征试验数据照度(Lx)510152030405060707580I(μA)-1光敏二极管光照特征试验数据依据数据得到特征曲线以下:、试验分析经过试验,我们知道在工作电压为5V情况下,我们得到光敏二极管光照度增加时电流值也是增加。光敏二极管光照特征展现良好线性关系。所以在通常光学元器件检测中,能够利用其良好线性关系而选择使用光敏二极管。试验五:光电池试验1、试验目标了解光电池光照特征,熟悉其应用。2、试验原理光电池制造是依据光生伏特效应原理,不需要加偏压就能把光能转化成电能P-N结光电器件,,即:当光照射到光电池P-N结上,在P-N结两端就产生了电动势。3、试验结果在本试验中经过改变照度,测出不一样照度下开路电压和短路电流数据如表5-1:强度(Lx)051015202530354045505565758595100电流