光电传感器论文.docx

光电传感器论文89068光电传感器
摘要：在科学技术高速发展的现代社会中， 人类已经入瞬息万变的信息时代， 人 们在日常生活，生产过程中，主要依靠检测技术对信息经获取、筛选和传输，来 实现制动控制，自动调节，目前我国已将检测技术列入优先发展的科学技术之一。 由于微电子技术，光电半导体技术，光导纤维技术以及光栅技术的发展， 使得光 电传感器的应用与日俱增。这种传感器具有结构简单、非接触、高可靠性、高精 度、可测参数多、反应快以及结构简单，形式灵活多样等优点，在自动检测技术 中得到了广泛应用，它一种是以光电效应为理论基础，由光电材料构成的器件。
一、理论基础一一光电效应
光电效应一般有外光电效应、光导效应、光生伏特效应。
光照在照在光电材料上，材料表面的电子吸收的能量，若电子吸收的能量足 够大是，电子会克服束缚脱离材料表面而进入外界空间， 从而改变光电子材料的 导电性，这种现象成为外光电效应
根据爱因斯坦的光电子效应，光子是运动着的粒子流，每种光子的能量为 hv（v为光波频率，h为普朗克常数，h = *10-34 J/HZ），由此可见不同频率 的光子具有不同的能量，光波频率越高，光子能量越大。假设光子的全部能量交 给光子，电子能量将会增加，增加的能量一部分用于克服正离子的束缚， 另一部
分转换成电子能量。根据能量守恒定律：
1 2
m h - A
2
式中，m为电子质量,v为电子逸出的初速度,A微电子所做的功。
由上式可知，要使光电子逸出阴极表面的必要条件是 h>A由于不同材料具 有不同的逸出功，因此对每一种阴极材料，入射光都有一个确定的频率限，当入 射光的频率低于此频率限时，不论光强强多大，都不会产生光电子发射，此频率限 称为“红限”。相应的波长为’K二+式中，c为光速，A为逸出功。
二、光电元件及特性
根据外光电元件制造的光电元件有光电子，充气光电管和光电倍曾管。
光电管 光电管的种类繁多，典型的产品有真空光电管和充气光电管， 光 它的外形和结构如图1所示，半圆筒形金属片制成的阴极 K和位于阴极轴心的金 属丝制成的阳极A封装在抽成真空的玻壳内，当入射光照射在阴极上时，单个光 子就把它的全部能量传递给阴极材料中的一个自由电子， 从而使自由电子的能量
增加h。当电子获得的能量大于阴极材料的逸出功 A时，它就可以克服金属表面 束缚而逸出，形成电子发射。这种电子称为光电子，光电子逸出金属表面后的初 始动能为
（1 2）mv2
光电管正常工作时，阳极电位高于阴极，如图2所示。在人射光频率大于“红 限”的前提下，从阴极表面逸出的光电子被具有正电位的阳极所吸引， 在光电管
内形成空间电子流，称为光电流。此时若光强增大，轰击阴极的光子数增多，单 位时间内发射的光电子数也就增多， 光电流变大。在图2所示的电路中，电流和 电阻只上的电压降就和光强成函数关系，从而实现光电转换。当光线照射到光电 阴极K上时，电子从阴极表面逸出，并被光电阳极的正电厂吸收，外电路产生电 流I，在负载电阻R L上的电压Uo
光电管的光电特性如图3所示，从图中可知，在光通量不太大时，光电特
性基本是一条直线
图1光电光结构示意图
光电倍曾管 由于真空光电管的灵敏度低，因此人们研制了具有放大光电 流能力的光电倍增管。图4是光电倍增管结构示意图。
图4光电倍增 结构示意图
从图中可以看到光电倍增管也有一个阴极 K和一个阳极A,与光电管不同的 是在它的阴极和阳极间设置了若干个二次发射电极， D1、D2 D3…它们称为第一
倍增电极、第二倍增电极、…，倍增电极通常为 10〜15级。光电倍增管工作时， 相邻电极之间保持一定电位差，其中阴极电位最低，各倍增电极电位逐级升高， 阳极电位最高。当入射光照射阴极 K时，从阴极逸出的光电子被第一倍增电极 D1加速，以高速轰击D1，引起二次电子发射，一个入射的光电子可以产生多个 二次电子，D1发射出的二次电子又被 D1、D2问的电场加速，射向D2并再次产 生二次电子发射……，这样逐级产生的二次电子发射，使电子数量迅速增加，这 些电子最后到达阳极，形成较大的阳极电流。若倍增电极有n级，各级的倍增率 为c，则光电倍增管的倍增率可以认为是（T N，因此，光电倍增管有极高的灵 敏度。在输出电流小于1mA的情况下，它的光电特性在很宽的范围内具有良好的 线性关系。光电倍增管的这个特点，使它多用于微光测量。
3、光敏电阻 光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料
的两端装上电极引线，将其封在带有透明窗的管壳里就构成了光敏电阻。 光敏电
阻的特性和参数如下：
1）暗电阻 光敏电阻置于室温、全暗条件下的稳定电阻值称为暗电阻， 此时 流过电阻的电流称为暗电流。
2）亮电阻 光敏电阻置于室