MTK手机电路原理分析.doc

MTK电路原理分析
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MTK使用的是6229的BB芯片，Transeiver使用的是MT6140，PA为3159芯片。
6229和6230的区别为CAMERA的支持像数，6229支持200万像数，6230只
支持30万像数。
6229和6226，6225等BB芯片的区别为6229内部多了一个DSP用于支持
EDGE，并且6229的主频为104MHZ，相对于传统的BB芯片52MHZ的主频处
理速度快了许多，所以6229不仅可以支持OTG,TVOUT,并且还支持WI-FI。
OTG只支持USB11版本，OTG的数据线规范要求不能大于20CM，如果过长
会对信号有较大的衰减和反射。
手机里6229也使用的是32768KHZ的晶振产生时序电路基准信号。32768kHz是
RTC（实时时钟）晶振，用32768是因为32768是2的15次幂，可以很方便的
分频，很精确的得到一秒的计时。所有的RTC晶振一般都是32768或是其倍
频。在手机电路中还有一主时钟，一般为13MHz或是其倍频。之所以选用
13M这样的时钟是为了与基站同步。
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MTK和其他机种使用的FLASH也是不同的。MTK采用混合储存器的
方式不同于以往的NOR+NAND存储器方式。
NOR＋NAND存储器采用NOR来存储BIOS代码，采用NAND存储代
码(操作系统和应用软件)和数据，易失性RAM被用来存储执行代码时
的变量和数据结构。这种存储器解决方案采用代码映射或请求调页来
执行存储在NAND中的操作系统和应用软件。
混合存储器采用SRAM和NAND，采用NAND作为非易失性存储器，
所以这类解决方案的存储密度能做得很高。这些解决方案可以直接从
NAND引导，不再需要高端蜂窝手机中昂贵的引导NOR，因此可降低
总系统成本。它们还可以减少元器件数量，节省了电路板空间。但
是，这些混合解决方案的引导时间较长、复杂度较高、难以集成且需
要主机上有支持请求调页的先进操作系统。
MIC电路
MICBIASP和MICBIASN为MIC电路的正负两路偏置电压，一般为24V-27V左右 的电压。
C204，C205主要为滤除射频信号的干扰。如果有GSM900MHZ的干扰则使用33PF的电
容，如果有DCS1800MHZ的干扰可以使用12PF的电容，如果有WIFI 24GHZ的干扰则
使用82PF的电容。
C206主要是抑制共模信号。
C201,C202为100NF电容，主要作用为隔直通交，防止直流电使PA饱和，产生信号偏移，
主要滤除100HZ一下的电流。
B201，B202为磁珠，主要滤除高频部分的干扰。
MIC偏置电流流向为从MICBIASP----MICBIASN，而不用公共的GND，主要是因为GND干
扰太大。
磁珠有很高的电阻率和磁导率，他等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变
化。 他比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的
频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果
MIC内部结构
OUTPUT
CP
TERM。1

RL

C
C1
C2
VS
Shield case
TERM。2

GROUND

C1=10pf
C2=33PF
RL=22K
VS=20V
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Mic有一个振动系统,该系统在声波的作用下产生振动,并通过不同的物理效应将振动转
换为相应的电压变化、电容变化或电阻变化，最终都以电压变化的形式输出。所以，
我们要Mic电路要采集的数据是Mic两端电压的变化。
CP就是那颗能根据振动调整容值的电容，然后通过后面的场效应管放大信号，C1，
C2为虑除900MHZ和1800MHZ影响的滤波电容。
耳机电路
VDD
28V
100K
VDD
47K-190K上拉电阻，